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71V424L10PHG
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음9,168
71V424L10PHG8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,646
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음7,632
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음3,420
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음8,334
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음3,600
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음3,474
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음7,470
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
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재고 있음5,274
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,058
71V424L12PHGI
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,184
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,634
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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재고 있음5,796
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음5,850
71V424L12YGI
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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재고 있음6,696
71V424L12YGI8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음2,988
71V424L15PHG
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음7,272
71V424L15PHG8
71V424L15PHG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음3,544
71V424L15PHGI
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음3,654
71V424L15PHGI8
71V424L15PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음3,490
71V424L15YG
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음3,510
71V424L15YG8
71V424L15YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음5,940
71V424L15YGI
71V424L15YGI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 시계 주파수: -
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  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음5,094
71V424L15YGI8
71V424L15YGI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음16,500
71V424S10PHG
71V424S10PHG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음35,730
71V424S10PHG8
71V424S10PHG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,004
71V424S10PHGI
71V424S10PHGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,202
71V424S10PHGI8
71V424S10PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음7,596
71V424S10YG
71V424S10YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음22,344
71V424S10YG8
71V424S10YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음8,496