메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
71V65703S80BGG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,452
71V65703S80BGG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,934
71V65703S80BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음7,146
71V65703S80BQ8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음2,394
71V65703S80BQG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음3,150
71V65703S80BQG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음6,714
71V65703S80BQGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음5,202
71V65703S80BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음4,374
71V65703S80BQI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음5,958
71V65703S80BQI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음7,056
71V65703S80PFG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음3,456
71V65703S80PFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음5,382
71V65703S80PFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,140
71V65703S80PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음5,760
71V65703S85BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,812
71V65703S85BG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,856
71V65703S85BGG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,848
71V65703S85BGG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,384
71V65703S85BGGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,874
71V65703S85BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,190
71V65703S85BGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,174
71V65703S85BGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,978
71V65703S85BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음2,880
71V65703S85BQ8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음2,100
71V65703S85BQG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음2,466
71V65703S85BQG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음7,668
71V65703S85BQGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음4,158
71V65703S85BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음4,518
71V65703S85BQI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음6,912
71V65703S85BQI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음4,662

71V65703S80BGG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,452

71V65703S80BGG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음2,934

71V65703S80BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음7,146

71V65703S80BQ8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음2,394

71V65703S80BQG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음3,150

71V65703S80BQG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음6,714

71V65703S80BQGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음5,202

71V65703S80BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음4,374

71V65703S80BQI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음5,958

71V65703S80BQI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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패키지 / 케이스: 165-TBGA
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재고 있음7,056

71V65703S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음3,456

71V65703S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음5,382

71V65703S80PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음4,140

71V65703S80PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음5,760

71V65703S85BG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,812

71V65703S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음8,856

71V65703S85BGG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,848

71V65703S85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
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재고 있음3,384

71V65703S85BGGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음8,874

71V65703S85BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
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재고 있음8,190

71V65703S85BGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
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접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음6,174

71V65703S85BGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음3,978

71V65703S85BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음2,880

71V65703S85BQ8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음2,100

71V65703S85BQG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음2,466

71V65703S85BQG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음7,668

71V65703S85BQGI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음4,158

71V65703S85BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음4,518

71V65703S85BQI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음6,912

71V65703S85BQI8

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IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

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