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메모리 IC

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설명
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AS4C256M16D3LA-12BANTR
AS4C256M16D3LA-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음3,150
AS4C256M16D3LA-12BCN
AS4C256M16D3LA-12BCN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음2,088
AS4C256M16D3LA-12BCNTR
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Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음2,376
AS4C256M16D3LA-12BIN
AS4C256M16D3LA-12BIN

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음4,032
AS4C256M16D3LA-12BINTR
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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음7,542
AS4C256M16D3LB-10BCN
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4G DDR3 256MX16 1.35V 96-BALL FB

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13.5)
재고 있음7,434
AS4C256M16D3LB-10BIN
AS4C256M16D3LB-10BIN

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4G DDR3 256MX16 1.35V 96-BALL FB

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13.5)
재고 있음7,464
AS4C256M16D3LB-12BAN
AS4C256M16D3LB-12BAN

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음9,852
AS4C256M16D3LB-12BANTR
AS4C256M16D3LB-12BANTR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음4,842
AS4C256M16D3LB-12BCN
AS4C256M16D3LB-12BCN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음19,500
AS4C256M16D3LB-12BCNTR
AS4C256M16D3LB-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음4,842
AS4C256M16D3LB-12BIN
AS4C256M16D3LB-12BIN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음9,598
AS4C256M16D3LB-12BINTR
AS4C256M16D3LB-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음7,290
AS4C256M32MD2-18BCN
AS4C256M32MD2-18BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.2V, 1.8V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (11.5x11.5)
재고 있음8,064
AS4C256M32MD2-18BCNTR
AS4C256M32MD2-18BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.2V, 1.8V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (11.5x11.5)
재고 있음8,100
AS4C256M32MD2-18BIN
AS4C256M32MD2-18BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.2V, 1.8V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (11.5x11.5)
재고 있음7,776
AS4C256M32MD2-18BINTR
AS4C256M32MD2-18BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.2V, 1.8V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (11.5x11.5)
재고 있음2,790
AS4C256M8D2-25BCN
AS4C256M8D2-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 57.5ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음4,230
AS4C256M8D2-25BCNTR
AS4C256M8D2-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 57.5ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음3,544
AS4C256M8D2-25BIN
AS4C256M8D2-25BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 57.5ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음8,478
AS4C256M8D2-25BINTR
AS4C256M8D2-25BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 57.5ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음2,664
AS4C256M8D3-12BAN
AS4C256M8D3-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음7,452
AS4C256M8D3-12BANTR
AS4C256M8D3-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음6,642
AS4C256M8D3-12BCN
AS4C256M8D3-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 90°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음8,226
AS4C256M8D3-12BCNTR
AS4C256M8D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 90°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음3,114
AS4C256M8D3-12BIN
AS4C256M8D3-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음5,922
AS4C256M8D3-12BINTR
AS4C256M8D3-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음8,568
AS4C256M8D3-15BCN
AS4C256M8D3-15BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 90°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음5,454
AS4C256M8D3-15BCNTR
AS4C256M8D3-15BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 90°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음5,976
AS4C256M8D3A-12BAN
AS4C256M8D3A-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음8,370