Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

메모리 IC

기록 47,332
페이지 5/1578
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
11LC040T-E/TT
11LC040T-E/TT

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 4K SGL WIRE SOT23-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음7,740
11LC040T-I/MNY
11LC040T-I/MNY

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 4K SINGLE WIRE 8TDFN

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)
재고 있음8,964
11LC040T-I/MS
11LC040T-I/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 4K SINGLE WIRE 8MSOP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP
재고 있음8,514
11LC040T-I/SN
11LC040T-I/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 4K SINGLE WIRE 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,858
11LC040T-I/TT
11LC040T-I/TT

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 4K SGL WIRE SOT23-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음2,100
11LC080-E/MS
11LC080-E/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8MSOP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP
재고 있음5,652
11LC080-E/P
11LC080-E/P

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SGL WIRE 8DIP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음8,784
11LC080-E/SN
11LC080-E/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,562
11LC080-I/MS
11LC080-I/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8MSOP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP
재고 있음6,282
11LC080-I/P
11LC080-I/P

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SGL WIRE 8DIP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음19,260
11LC080-I/SN
11LC080-I/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,788
11LC080T-E/MNY
11LC080T-E/MNY

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8TDFN

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)
재고 있음7,938
11LC080T-E/MS
11LC080T-E/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8MSOP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP
재고 있음2,502
11LC080T-E/SN
11LC080T-E/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음8,784
11LC080T-E/TT
11LC080T-E/TT

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SGL WIRE SOT23-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음3,744
11LC080T-I/MNY
11LC080T-I/MNY

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8TDFN

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)
재고 있음7,668
11LC080T-I/MS
11LC080T-I/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8MSOP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP
재고 있음6,732
11LC080T-I/SN
11LC080T-I/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,038
11LC080T-I/TT
11LC080T-I/TT

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 8K SGL WIRE SOT23-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음6,318
11LC160-E/MS
11LC160-E/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8MSOP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP
재고 있음7,596
11LC160-E/P
11LC160-E/P

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8DIP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음7,596
11LC160-E/SN
11LC160-E/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음8,280
11LC160-I/MS
11LC160-I/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8MSOP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP
재고 있음2,430
11LC160-I/P
11LC160-I/P

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8DIP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음23,676
11LC160-I/SN
11LC160-I/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,642
11LC160T-E/MNY
11LC160T-E/MNY

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8TDFN

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)
재고 있음4,410
11LC160T-E/MS
11LC160T-E/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8MSOP

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP
재고 있음6,372
11LC160T-E/SN
11LC160T-E/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,248
11LC160T-E/TT
11LC160T-E/TT

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SGL WIRE SOT23-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음25,410
11LC160T-I/MNY
11LC160T-I/MNY

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8TDFN

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Single Wire
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)
재고 있음8,532