메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS62WV5128BLL-55T2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음4,248
IS62WV5128BLL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음2,417
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음2,700
IS62WV5128BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음7,956
IS62WV5128BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음6,534
IS62WV5128BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음6,786
IS62WV5128BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음4,050
IS62WV5128DALL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음7,614
IS62WV5128DALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음3,168
IS62WV5128DALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음4,878
IS62WV5128DALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음3,060
IS62WV5128DALL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음6,372
IS62WV5128DALL-55HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음7,344
IS62WV5128DALL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음7,956
IS62WV5128DALL-55T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음4,194
IS62WV5128DALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음7,704
IS62WV5128DALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음6,930
IS62WV5128DBLL-45BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음8,730
IS62WV5128DBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음7,830
IS62WV5128DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음6,660
IS62WV5128DBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음6,228
IS62WV5128DBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I	재고 있음8,298
IS62WV5128DBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I	재고 있음7,164
IS62WV5128DBLL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음6,534
IS62WV5128DBLL-45QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음3,420
IS62WV5128DBLL-45T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음8,424
IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음6,246
IS62WV5128DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음6,390
IS62WV5128DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음3,472
IS62WV5128EALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I (8x18.4)	재고 있음8,370

IS62WV5128BLL-55T2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음4,248

IS62WV5128BLL-55T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음2,417

IS62WV5128BLL-55T2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음2,700

IS62WV5128BLL-55TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음7,956

IS62WV5128BLL-55TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음6,534

IS62WV5128BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음6,786

IS62WV5128BLL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음4,050

IS62WV5128DALL-55BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음7,614

IS62WV5128DALL-55BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음3,168

IS62WV5128DALL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음4,878

IS62WV5128DALL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음3,060

IS62WV5128DALL-55HLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음6,372

IS62WV5128DALL-55HLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음7,344

IS62WV5128DALL-55T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음7,956

IS62WV5128DALL-55T2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음4,194

IS62WV5128DALL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음7,704

IS62WV5128DALL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음6,930

IS62WV5128DBLL-45BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음8,730

IS62WV5128DBLL-45BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음7,830

IS62WV5128DBLL-45BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음6,660

IS62WV5128DBLL-45BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음6,228

IS62WV5128DBLL-45HLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I

재고 있음8,298

IS62WV5128DBLL-45HLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I

재고 있음7,164

IS62WV5128DBLL-45QLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음6,534

IS62WV5128DBLL-45QLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음3,420

IS62WV5128DBLL-45T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음8,424

IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음6,246

IS62WV5128DBLL-45TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음6,390

IS62WV5128DBLL-45TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음3,472

IS62WV5128EALL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I (8x18.4)

재고 있음8,370

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message