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부품 번호	설명	재고 있음
FL3100TMPX ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR 2A HS LOW SIDE 6MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 13ns, 9ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-MLP (2x2)	재고 있음1,137,966
FL3100TSX ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER LOW SIDE SOT23-5 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3.2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 13ns, 9ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SOT-23-5	재고 있음3,600
FL73282MX ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR HALF BRIDGE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 350mA, 650mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 900V 상승 / 하강 시간 (일반): 60ns, 30ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,532
FZL4146GGEGHUMA1 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER CIRCUIT QUAD PDSO-20-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 4 게이트 유형: P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 40V 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -25°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: P-DSO-20-7	재고 있음5,472
HIP2100EIB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,192
HIP2100EIBT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,884
HIP2100EIBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음17,160
HIP2100EIBZT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,858
HIP2100IB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,454
HIP2100IBT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,924
HIP2100IBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음17,790
HIP2100IBZT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRDG 100V 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음108,474
HIP2100IBZT7A Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE DRIVER 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,016
HIP2100IR Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN-EP (5x5)	재고 있음2,772
HIP2100IR4 Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음4,752
HIP2100IR4T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음3,960
HIP2100IR4Z Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음5,742
HIP2100IR4ZT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음6,372
HIP2100IRT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN-EP (5x5)	재고 있음5,400
HIP2100IRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN-EP (5x5)	재고 있음6,912
HIP2100IRZT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 4V, 7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN-EP (5x5)	재고 있음3,366
HIP2101EIB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음4,698
HIP2101EIBT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음3,598
HIP2101EIBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음12,030
HIP2101EIBZT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음48,126
HIP2101IB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,292
HIP2101IBT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,562
HIP2101IBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,902
HIP2101IBZT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRDG 100V 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음81,732
HIP2101IBZT7A Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE DRIVER 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,208

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