전력 관리 IC

PMIC-AC DC 컨버터, 오프라인 스위처 (3,694)
PMIC-배터리 충전기 (2,798)
PMIC-배터리 관리 (3,367)
PMIC-현재 규제 / 관리 (1,239)
PMIC-디스플레이 드라이버 (1,136)
PMIC-에너지 계량 (533)
PMIC-풀, 하프 브리지 드라이버 (950)
PMIC-게이트 드라이버 (5,436)
PMIC-핫스왑 컨트롤러 (2,029)
PMIC-레이저 드라이버 (412)
PMIC-LED 드라이버 (5,435)
PMIC-조명, 안정기 컨트롤러 (417)
PMIC-모터 드라이버, 컨트롤러 (3,435)
PMIC-OR 컨트롤러, 이상적인 다이오드 (451)
PMIC-PFC (역률 보정) (827)
PMIC-배전 스위치, 부하 드라이버 (6,110)
PMIC-전력 관리-전문 (4,737)
PMIC-PoE (Power Over Ethernet) 컨트롤러 (637)
PMIC-전원 공급 장치 컨트롤러, 모니터 (1,413)
PMIC-RMS-DC 컨버터 (125)
PMIC-감독관 (37,657)
PMIC-열 관리 (465)
PMIC-V / F 및 F / V 변환기 (125)
PMIC-기준 전압 (7,166)
PMIC-전압 조정기-DC DC 스위칭 컨트롤러 (9,302)
PMIC-전압 조정기-DC DC 스위칭 조정기 (30,726)
PMIC-전압 조정기-선형 (57,737)
PMIC-전압 조정기-선형 + 스위칭 (1,319)
PMIC-전압 조정기-선형 조정기 컨트롤러 (207)
PMIC-전압 조정기-특수 목적 (3,917)
파워 드라이버 모듈 (809)

기록 194,611

페이지 510/6488

부품 번호	설명	재고 있음
HIP2101IR Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN-EP (5x5)	재고 있음3,456
HIP2101IR4 Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음3,834
HIP2101IR4T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음3,834
HIP2101IR4Z Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음2,124
HIP2101IR4ZT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음3,762
HIP2101IRT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN-EP (5x5)	재고 있음4,122
HIP2101IRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN-EP (5x5)	재고 있음6,804
HIP2101IRZT Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN-EP (5x5)	재고 있음2,214
HIP2103FRTAAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 60V 8-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.63V, 2.06V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 60V 상승 / 하강 시간 (일반): 8ns, 2ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음7,452
HIP2103FRTAAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 60V 8-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.63V, 2.06V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 60V 상승 / 하강 시간 (일반): 8ns, 2ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음30,003
HIP2103FRTAAZ-T7A Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 60V 8-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.63V, 2.06V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 60V 상승 / 하강 시간 (일반): 8ns, 2ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음5,994
HIP2104FRAANZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 12-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.63V, 2.06V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 60V 상승 / 하강 시간 (일반): 8ns, 2ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음5,058
HIP2104FRAANZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 12-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.63V, 2.06V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 60V 상승 / 하강 시간 (일반): 8ns, 2ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음7,704
HIP2104FRAANZ-T7A Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 12-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.63V, 2.06V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 60V 상승 / 하강 시간 (일반): 8ns, 2ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-DFN (4x4)	재고 있음7,416
HIP2106AIRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 SYNCH RECT BUCK MOSFET 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 1.3V, 1.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): -, 4A 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음5,400
HIP2106AIRZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 SYNCH RECT BUCK MOSFET 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 1.3V, 1.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): -, 4A 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음5,598
HIP2120FRTAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 3.7V, 7.93V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-TDFN (4x4)	재고 있음8,388
HIP2120FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 3.7V, 7.93V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-TDFN (4x4)	재고 있음6,822
HIP2120FRTBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 3.7V, 7.93V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 9-TDFN (4x4)	재고 있음2,412
HIP2120FRTBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 3.7V, 7.93V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 9-TDFN (4x4)	재고 있음7,056
HIP2121FRTAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-TDFN (4x4)	재고 있음4,986
HIP2121FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-TDFN (4x4)	재고 있음8,406
HIP2121FRTBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 9-TDFN (4x4)	재고 있음7,020
HIP2121FRTBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 9-TDFN (4x4)	재고 있음7,884
HIP2122FRTAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 3.7V, 7.93V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-TDFN (4x4)	재고 있음3,078
HIP2122FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 3.7V, 7.93V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-TDFN (4x4)	재고 있음8,586
HIP2122FRTBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 3.7V, 7.93V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 9-TDFN (4x4)	재고 있음6,480
HIP2122FRTBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 9-TDFN (4x4)	재고 있음6,102
HIP2123FRTAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-TDFN (4x4)	재고 있음6,300
HIP2123FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 114V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-TDFN (4x4)	재고 있음5,922

«
‹
1
...
507
508
509
510 (current)
511
512
513
...
6488
›
»

Send Message

Certifications

전력 관리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message