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부품 번호	설명	재고 있음
HIP6603BCBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,070
HIP6603BCBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,398
HIP6603BECB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,336
HIP6603BECB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,316
HIP6603BECBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,776
HIP6603BECBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,830
HIP6604BCR Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (4x4)	재고 있음5,958
HIP6604BCR-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (4x4)	재고 있음7,254
HIP6604BCRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (4x4)	재고 있음8,496
HIP6604BCRZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 16-QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 15V 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (4x4)	재고 있음8,874
HR2000GS Monolithic Power Systems Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF BRIDGE 16SOIC 제조업체: Monolithic Power Systems Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 12V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,020
HR2000GS-Z Monolithic Power Systems Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF BRIDGE 16SOIC 제조업체: Monolithic Power Systems Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 12V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,436
HT0440K6-G Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER HI VOLT 400V 10 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.15V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 0.5V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 400V 상승 / 하강 시간 (일반): 650µs, 3ms (Max) 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x4)	재고 있음7,524
HT0440LG-G Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER HI VOLT 400V 8S 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.15V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 0.5V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 400V 상승 / 하강 시간 (일반): 650µs, 3ms (Max) 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음18,653
HT0740LG-G Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER HI VOLT 400V 8S 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 3.15V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 0.5V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 400V 상승 / 하강 시간 (일반): 650µs, 3ms (Max) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,270
HV9901NG-G Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC RELAY DRIVER 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 450V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 14 Leads 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,216
HV9901NG-G-M901 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC RELAY DRIVER 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 450V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 14 Leads 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,064
ICL7667CBA Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL PWR 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,202
ICL7667CBA Maxim Integrated	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR DUAL PWR 8-SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 17V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,214
ICL7667CBA+ Maxim Integrated	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR DUAL PWR 8-SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 17V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,866
ICL7667CBA+T Maxim Integrated	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR DUAL PWR 8-SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 17V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,768
ICL7667CBA-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL PWR 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,688
ICL7667CBAZA Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL PWR 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음24,480
ICL7667CBAZA-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음25,530
ICL7667CPA Maxim Integrated	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSFET DUAL PWR 8-DIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 17V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,318
ICL7667CPA Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSFET DUAL PWR 8-DIP 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음26,268
ICL7667CPA+ Maxim Integrated	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSFET DUAL PWR 8-DIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 17V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,204
ICL7667CPAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8DIP 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음15,401
ICL7667EBA Maxim Integrated	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR DUAL PWR 8-SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 17V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,562
ICL7667EBA+ Maxim Integrated	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR DUAL PWR 8-SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 17V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,696

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