트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT30M40JVR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 425nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 450W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,644
APT30M60J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5890pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 355W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,664
APT30M70BVFRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 370W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,328
APT30M70BVRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 370W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,694
APT30M70SVRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 370W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3 [S] 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음4,194
APT30M85BVFRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4950pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,194
APT30M85BVRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4950pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,816
APT30M85SVFRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4950pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3 [S] 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음7,992
APT30N60BC6 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 960µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2267pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 219W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,758
APT30N60KC6 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 960µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2267pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 219W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 [K] 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,280
APT30N60SC6 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 960µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2267pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 219W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,982
APT31M100B2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음8,820
APT31M100L Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음6,336
APT31N60BCSG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3055pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 255W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,068
APT31N80JC3 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 833W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,082
APT32F120J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,726
APT32M80J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 303nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9326pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 543W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,492
APT33N90JCCU2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,254
APT33N90JCCU3 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,592
APT33N90JCU2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,552
APT33N90JCU3 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,154
APT34F100B2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9835pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음5,976
APT34F100L Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9835pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 [L] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음5,094
APT34F60B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 624W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,678
APT34F60BG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 624W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,114
APT34M120J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,816
APT34M60B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 624W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,552
APT34N80B2C3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음5,886
APT34N80LC3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 [L] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음3,636
APT35SM70B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 700V TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1035pF @ 700V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 176W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,390

APT30M40JVR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 425nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 450W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,644

APT30M60J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5890pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 355W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,664

APT30M70BVFRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 370W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,328

APT30M70BVRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 370W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,694

APT30M70SVRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 370W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3 [S]
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음4,194

APT30M85BVFRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4950pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,194

APT30M85BVRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4950pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,816

APT30M85SVFRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4950pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3 [S]
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음7,992

APT30N60BC6

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 960µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2267pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 219W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,758

APT30N60KC6

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30A TO-220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 960µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2267pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 219W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,280

APT30N60SC6

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 960µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2267pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 219W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,982

APT31M100B2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음8,820

APT31M100L

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음6,336

APT31N60BCSG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 31A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3055pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 255W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,068

APT31N80JC3

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 833W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,082

APT32F120J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,726

APT32M80J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 303nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9326pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 543W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,492

APT33N90JCCU2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,254

APT33N90JCCU3

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,592

APT33N90JCU2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,552

APT33N90JCU3

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,154

APT34F100B2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9835pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음5,976

APT34F100L

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9835pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음5,094

APT34F60B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 624W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,678

APT34F60BG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 624W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,114

APT34M120J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,816

APT34M60B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 624W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,552

APT34N80B2C3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음5,886

APT34N80LC3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음3,636

APT35SM70B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1035pF @ 700V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 176W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,390

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