트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT5014BLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3261pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 403W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,372
APT5014SLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3261pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 403W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3 [S] 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음8,460
APT5014SLLG/TR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3261pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 403W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,146
APT5016BFLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2833pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 329W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,726
APT5018BLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2596pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,058
APT5020BN Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS IV® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,626
APT5020BNFR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS IV® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,148
APT5020SVRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3 [S] 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음6,156
APT5022BNG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS IV® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,978
APT5024BLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 265W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,138
APT5025BN Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS IV® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,916
APT50M38JLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,912
APT50M50JLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 71A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 35.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10550pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,984
APT50M65B2FLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음5,994
APT50M65B2LLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음4,680
APT50M65JFLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,460
APT50M65JLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,802
APT50M65LFLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 [L] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음4,446
APT50M65LLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 [L] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음4,626
APT50M75JLLU2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5590pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,196
APT50M75JLLU3 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5590pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,624
APT50M80B2VRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 423nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8797pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음2,574
APT50MC120JCU2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 71A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 179nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2980pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,020
APT50N60JCCU2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,442
APT50N60JCU2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,214
APT51F50J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,212
APT51M50J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,532
APT53F80J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17550pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,124
APT53N60BC6 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.72mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,928
APT53N60SC6 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.72mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,772

APT5014BLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 35A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3261pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 403W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,372

APT5014SLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3261pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 403W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3 [S]
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음8,460

APT5014SLLG/TR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 35A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3261pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 403W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,146

APT5016BFLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2833pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 329W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,726

APT5018BLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2596pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,058

APT5020BN

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS IV®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,626

APT5020BNFR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS IV®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,148

APT5020SVRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3 [S]
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음6,156

APT5022BNG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS IV®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,978

APT5024BLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 265W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,138

APT5025BN

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS IV®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,916

APT50M38JLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,912

APT50M50JLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 71A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 35.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10550pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,984

APT50M65B2FLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음5,994

APT50M65B2LLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음4,680

APT50M65JFLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,460

APT50M65JLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,802

APT50M65LFLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 67A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음4,446

APT50M65LLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 67A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 141nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7010pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음4,626

APT50M75JLLU2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 51A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5590pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,196

APT50M75JLLU3

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5590pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,624

APT50M80B2VRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 423nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8797pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음2,574

APT50MC120JCU2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 71A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 179nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2980pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,020

APT50N60JCCU2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,442

APT50N60JCU2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,214

APT51F50J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,212

APT51M50J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,532

APT53F80J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 570nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17550pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,124

APT53N60BC6

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 53A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,928

APT53N60SC6

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,772

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message