트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT60M75JFLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8930pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,344
APT60M75JLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8930pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,376
APT60M75JVFR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1050nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,526
APT60M75JVR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1050nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,956
APT60M75L2FLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8930pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 893W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: 264 MAX™ [L2] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음7,542
APT60M75L2LLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8930pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 893W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: 264 MAX™ [L2] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음6,426
APT60M80JVR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 870nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 568W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,874
APT60M80L2VRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 590nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 833W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: 264 MAX™ [L2] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음5,184
APT60N60BCSG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 431W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,776
APT60N60SCSG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 431W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,032
APT60N60SCSG/TR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 431W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,956
APT66F60B2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13190pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음7,398
APT66F60L Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13190pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 [L] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음7,380
APT66M60B2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13190pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음8,586
APT66M60L Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13190pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 [L] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음2,052
APT6M100K Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 [K] 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,256
APT70SM70B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 POWER MOSFET - SIC 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,668
APT70SM70J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 POWER MOSFET - SIC 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 165W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,076
APT70SM70S Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 POWER MOSFET - SIC 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 220W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,852
APT75F50B2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음2,034
APT75F50L Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 [L] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음8,658
APT75M50B2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음4,662
APT75M50L Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264 [L] 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음8,370
APT77N60BC6 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 2.96mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 481W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,796
APT77N60JC3 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 640nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 568W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,384
APT77N60SC6 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 2.96mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 481W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,788
APT7F100B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,238
APT7F120B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2565pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 335W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,084
APT7F80K Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1335pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 [K] 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,752
APT7M120B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2565pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 335W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음21,060

APT60M75JFLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8930pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,344

APT60M75JLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8930pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,376

APT60M75JVFR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1050nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,526

APT60M75JVR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1050nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,956

APT60M75L2FLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8930pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 893W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: 264 MAX™ [L2]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음7,542

APT60M75L2LLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8930pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 893W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: 264 MAX™ [L2]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음6,426

APT60M80JVR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 870nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 568W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,874

APT60M80L2VRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 590nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 833W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: 264 MAX™ [L2]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음5,184

APT60N60BCSG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 431W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,776

APT60N60SCSG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 431W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,032

APT60N60SCSG/TR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 431W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,956

APT66F60B2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13190pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음7,398

APT66F60L

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13190pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음7,380

APT66M60B2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13190pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음8,586

APT66M60L

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13190pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음2,052

APT6M100K

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,256

APT70SM70B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,668

APT70SM70J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 165W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,076

APT70SM70S

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 220W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,852

APT75F50B2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음2,034

APT75F50L

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음8,658

APT75M50B2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음4,662

APT75M50L

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음8,370

APT77N60BC6

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 481W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,796

APT77N60JC3

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 640nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 568W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,384

APT77N60SC6

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 481W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,788

APT7F100B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,238

APT7F120B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2565pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 335W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,084

APT7F80K

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1335pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,752

APT7M120B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2565pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 335W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음21,060

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