트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTC60DAM24T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 95A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 462W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음8,010
APTC60DAM35T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 72A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 518nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 416W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음6,984
APTC60SKM24CT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 95A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 462W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음3,186
APTC60SKM24T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 95A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 462W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음5,184
APTC60SKM35T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 72A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 518nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 416W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음3,924
APTC80DA15T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 28A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음2,916
APTC80SK15T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 28A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음4,356
APTC90DAM60CT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 59A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 462W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음2,124
APTC90DAM60T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 59A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 462W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음6,156
APTC90SKM60CT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 59A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 462W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음7,776
APTC90SKM60T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 59A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 462W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음5,706
APTM100DA18CT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 657W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음8,784
APTM100DA18T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 657W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음3,672
APTM100DA18TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음3,276
APTM100DA33T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7868pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음4,392
APTM100DA40T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음5,112
APTM100DAM90G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 744nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음3,060
APTM100SK18TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음5,382
APTM100SK33T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7868pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음4,698
APTM100SK40T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음4,284
APTM100SKM90G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 744nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음3,456
APTM100U13SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 65A J3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2000nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: Module 패키지 / 케이스: J3 Module	재고 있음8,784
APTM100UM45DAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 215A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1602nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5000W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음7,974
APTM100UM45FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 215A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1602nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5000W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음2,124
APTM100UM60FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 129A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 64.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 15mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1116nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2272W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음8,100
APTM100UM65DAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음5,868
APTM100UM65SAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음5,130
APTM100UM65SCAVG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: Module	재고 있음8,190
APTM10DAM02G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 495A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음2,970
APTM10DAM05TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 278A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음6,840

APTC60DAM24T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 462W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음8,010

APTC60DAM35T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 518nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 416W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음6,984

APTC60SKM24CT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 462W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음3,186

APTC60SKM24T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 462W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음5,184

APTC60SKM35T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 518nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 416W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음3,924

APTC80DA15T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 28A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음2,916

APTC80SK15T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 28A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음4,356

APTC90DAM60CT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 462W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음2,124

APTC90DAM60T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 462W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음6,156

APTC90SKM60CT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 462W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음7,776

APTC90SKM60T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 462W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음5,706

APTM100DA18CT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 570nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 657W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음8,784

APTM100DA18T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 570nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 657W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음3,672

APTM100DA18TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음3,276

APTM100DA33T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7868pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음4,392

APTM100DA40T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음5,112

APTM100DAM90G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 744nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음3,060

APTM100SK18TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음5,382

APTM100SK33T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7868pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음4,698

APTM100SK40T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음4,284

APTM100SKM90G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 744nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음3,456

APTM100U13SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 65A J3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2000nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: Module
패키지 / 케이스: J3 Module

재고 있음8,784

APTM100UM45DAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 215A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1602nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5000W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음7,974

APTM100UM45FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 215A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1602nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5000W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음2,124

APTM100UM60FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 129A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 64.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 15mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1116nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2272W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음8,100

APTM100UM65DAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1068nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음5,868

APTM100UM65SAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1068nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음5,130

APTM100UM65SCAVG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1068nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: Module

재고 있음8,190

APTM10DAM02G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음2,970

APTM10DAM05TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음6,840

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