트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSO8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음38,280
BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음47,886
BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 DIFFERENTIATED MOSFETS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6020pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음51,804
BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 120µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-17 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음211,200
BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 DIFFERENTIATED MOSFETS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 120µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8125pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음44,664
BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음297,756
BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,644
BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 131nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,202
BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 173nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,112
BSC016N04LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,290
BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 95µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,752
BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 DIFFERENTIATED MOSFETS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 95µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음40,146
BSC017N04NSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8800pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음38,490
BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,834
BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,942
BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,256
BSC019N02KSGAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,716
BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,372
BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 DIFFERENTIATED MOSFETS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,120
BSC019N04NSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8800pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,472
BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 DIFFERENTIATED MOSFETS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 74µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5.25nF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 136W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,070
BSC020N025S G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8290pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,006
BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음612,744
BSC020N03LSGATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,776
BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음45,042
BSC021N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRENCH 40<-<100V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™, StrongIRFET™ FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSON-8-3 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,716
BSC022N03S Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7490pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,362
BSC022N03SG Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8290pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,236
BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRENCH <= 40V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,042
BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,074

BSC014N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSO8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음38,280

BSC014N04LSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음47,886

BSC014N04LSTATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

DIFFERENTIATED MOSFETS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6020pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음51,804

BSC014N06NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 120µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-17
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음211,200

BSC014N06NSTATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

DIFFERENTIATED MOSFETS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 120µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8125pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음44,664

BSC014NE2LSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음297,756

BSC015NE2LS5IATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,644

BSC016N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 131nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,202

BSC016N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 173nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,112

BSC016N04LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,290

BSC016N06NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 95µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,752

BSC016N06NSTATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

DIFFERENTIATED MOSFETS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 95µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음40,146

BSC017N04NSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8800pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음38,490

BSC018N04LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,834

BSC018NE2LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,942

BSC018NE2LSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,256

BSC019N02KSGAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,716

BSC019N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,372

BSC019N04LSTATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

DIFFERENTIATED MOSFETS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,120

BSC019N04NSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8800pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,472

BSC019N06NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

DIFFERENTIATED MOSFETS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 74µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5.25nF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 136W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,070

BSC020N025S G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 110µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8290pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,006

BSC020N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음612,744

BSC020N03LSGATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,776

BSC020N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음45,042

BSC021N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRENCH 40<-<100V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™, StrongIRFET™
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSON-8-3
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,716

BSC022N03S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7490pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,362

BSC022N03SG

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 110µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8290pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,236

BSC022N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRENCH <= 40V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,042

BSC022N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,074

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