Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 1047/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
BSC024N025S G
BSC024N025S G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6530pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,794
BSC024NE2LSATMA1
BSC024NE2LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 12V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,312
BSC025N03LSGATMA1
BSC025N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,392
BSC025N03MSGATMA1
BSC025N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta). 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,534
BSC026N02KSGAUMA1
BSC026N02KSGAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52.7nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7800pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음2,466
BSC026N04LSATMA1
BSC026N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,672
BSC026N08NS5ATMA1
BSC026N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 115µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음205,344
BSC026NE2LS5ATMA1
BSC026NE2LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 82A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±16V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 12V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음2,754
BSC027N03S G
BSC027N03S G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6540pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,276
BSC027N04LSGATMA1
BSC027N04LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 49µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음1,353,384
BSC027N06LS5ATMA1
BSC027N06LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 49µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,878
BSC027N10NS5ATMA1
BSC027N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRENCH >=100V

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 146µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 111nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8200pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 214W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSON-8-3
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음8,694
BSC028N06LS3GATMA1
BSC028N06LS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 93µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 175nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,866
BSC028N06NSATMA1
BSC028N06NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음142,566
BSC028N06NSTATMA1
BSC028N06NSTATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

DIFFERENTIATED MOSFETS

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3375pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음2,214
BSC029N025S G
BSC029N025S G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5090pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,454
BSC030N03LSGATMA1
BSC030N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,920
BSC030N03MSGATMA1
BSC030N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,436
BSC030N04NSGATMA1
BSC030N04NSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 49µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,750
BSC030N08NS5ATMA1
BSC030N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 95µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,726
BSC030P03NS3GAUMA1
BSC030P03NS3GAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25.4A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 345µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음1,129,608
BSC031N06NS3GATMA1
BSC031N06NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 93µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,752
BSC032N03S
BSC032N03S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 70µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5080pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,906
BSC032N03SG
BSC032N03SG

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 70µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5080pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음8,406
BSC032N04LSATMA1
BSC032N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 98A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음5,976
BSC032NE2LSATMA1
BSC032NE2LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 84A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 12V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-6
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,696
BSC034N03LSGATMA1
BSC034N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,078
BSC034N06NSATMA1
BSC034N06NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 41µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,048
BSC035N04LSGATMA1
BSC035N04LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 36µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음235,992
BSC035N10NS5ATMA1
BSC035N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 115µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,258