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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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BSZ058N03MSGATMA1
BSZ058N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,618
BSZ060NE2LSATMA1
BSZ060NE2LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 12V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음37,032
BSZ065N03LSATMA1
BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음8,154
BSZ065N06LS5ATMA1
BSZ065N06LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음5,274
BSZ067N06LS3GATMA1
BSZ067N06LS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 35µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음72,816
BSZ068N06NSATMA1
BSZ068N06NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 20µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음125,868
BSZ0703LSATMA1
BSZ0703LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음6,300
BSZ070N08LS5ATMA1
BSZ070N08LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음5,922
BSZ075N08NS5ATMA1
BSZ075N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 36µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2080pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음51,156
BSZ076N06NS3GATMA1
BSZ076N06NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음6,588
BSZ084N08NS5ATMA1
BSZ084N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 31µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,768
BSZ086P03NS3EGATMA1
BSZ086P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 105µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4785pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음82,158
BSZ086P03NS3GATMA1
BSZ086P03NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 105µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4785pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음212,628
BSZ088N03LSGATMA1
BSZ088N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음44,364
BSZ088N03MSGATMA1
BSZ088N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음2,502
BSZ0901NSATMA1
BSZ0901NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V S308

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,704
BSZ0901NSIATMA1
BSZ0901NSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,366
BSZ0902NSATMA1
BSZ0902NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음95,718
BSZ0902NSIATMA1
BSZ0902NSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음2,214
BSZ0904NSIATMA1
BSZ0904NSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1463pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,986
BSZ0909NSATMA1
BSZ0909NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 36A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음8,244
BSZ0945NDXTMA1
BSZ0945NDXTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRENCH <= 40V

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음7,848
BSZ096N10LS5ATMA1
BSZ096N10LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,326
BSZ097N04LSGATMA1
BSZ097N04LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 14µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음351,294
BSZ097N10NS5ATMA1
BSZ097N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 36µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2080pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음8,046
BSZ0994NSATMA1
BSZ0994NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-25
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,582
BSZ099N06LS5ATMA1
BSZ099N06LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음2,100
BSZ100N03LSGATMA1
BSZ100N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,254
BSZ100N03MSGATMA1
BSZ100N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,780
BSZ100N06LS3GATMA1
BSZ100N06LS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 23µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음339,678