트랜지스터

BSS84-HF

Comchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23

• 제조업체: Comchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84LT7G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PFET SOT23 50V 130MA 10.0

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84P-E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84P E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84PH6327XTSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84PH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS84PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84PL6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84PW

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19.1pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS84PWH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19.1pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS84PW L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19.1pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS84TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS84TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT23-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

P-CHANNELMOSFETSOT-23

• 제조업체: Micro Commercial Co
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 225mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84W-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-323
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS84W-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-323
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS84WQ-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-323
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS87,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 580mW (Ta), 12.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-89
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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BSS87E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT89-4-2
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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BSS87E6327T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT89-4-2
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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BSS87 E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT89
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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BSS87H6327FTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT89-4-2
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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BSS87H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT89-4-2
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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BSS87L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT89
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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BST72A,112

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 830mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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BST82,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 830mW (Tc)
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BST82,235

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 830mW (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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