트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BUZ73A Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,066
BUZ73AE3046XK Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,316
BUZ73A H Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,140
BUZ73A H3046 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,706
BUZ73AL Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,768
BUZ73ALHXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,544
BUZ73E3046XK Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,022
BUZ73H3046XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,974
BUZ73HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,122
BUZ73L Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,192
BUZ73LHXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,454
BUZ80A Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,662
BVSS123LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음250,386
BVSS138LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,126,260
BVSS138LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,416
BVSS84LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음737,382
BVSS84LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,856
BXL4001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 85A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6700pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 75W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,520
BXL4004-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8200pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,290
C2M0025120D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 161nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2788pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 463W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음14,382
C2M0040120D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1893pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음37,512
C2M0045170D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: C2M™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 18mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 188nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3672pF @ 1kV FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음19,008
C2M0045170P Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: C2M™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 18mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 188nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3672pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-4 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음11,112
C2M0080120D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: C2M™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 5V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 192W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음879
C2M0080170P Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: C2M™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 28A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-4 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음8,052
C2M0160120D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 527pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음39,336
C2M0280120D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 259pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음157,680
C2M1000170D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 191pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음135,762
C2M1000170J Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: C2M™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7 (Straight Leads)	재고 있음35,286
C2M1000170J-TR Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: C2M™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	재고 있음3,436

BUZ73A

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,066

BUZ73AE3046XK

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,316

BUZ73A H

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,140

BUZ73A H3046

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,706

BUZ73AL

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,768

BUZ73ALHXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,544

BUZ73E3046XK

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,022

BUZ73H3046XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,974

BUZ73HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,122

BUZ73L

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,192

BUZ73LHXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,454

BUZ80A

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,662

BVSS123LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음250,386

BVSS138LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,126,260

BVSS138LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,416

BVSS84LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음737,382

BVSS84LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,856

BXL4001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 85A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6700pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 75W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,520

BXL4004-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8200pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,290

C2M0025120D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 161nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2788pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 463W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음14,382

C2M0040120D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1893pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음37,512

C2M0045170D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: C2M™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 18mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 188nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3672pF @ 1kV
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음19,008

C2M0045170P

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: C2M™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 18mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 188nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3672pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-4
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음11,112

C2M0080120D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: C2M™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 5V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 192W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음879

C2M0080170P

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: C2M™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 28A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-4
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음8,052

C2M0160120D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 527pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음39,336

C2M0280120D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 259pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음157,680

C2M1000170D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 191pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음135,762

C2M1000170J

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: C2M™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7 (Straight Leads)

재고 있음35,286

C2M1000170J-TR

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: C2M™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

재고 있음3,436

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