트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CMPDM7002AG BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V Vgs (최대): 40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,312
CMPDM7002AG TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음85,914
CMPDM7002AHC TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음56,796
CMPDM7003 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음54,360
CMS16N06D-HF Comchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 64A TO-2 제조업체: Comchip Technology 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 815pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음21,840
CMS16P06H8-HF Comchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60VDS 20VGS 64A DFN5 제조업체: Comchip Technology 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1256pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN5x6 (PR-PAK) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음26,670
CMS45P03H8-HF Comchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30VDS 20VGS 150A DFN 제조업체: Comchip Technology 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2215pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN5x6 (PR-PAK) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,198
CMS70N04H8-HF Comchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40VDS 20VGS 70A DFN5 제조업체: Comchip Technology 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1278pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 72.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN5x6 (PR-PAK) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음22,290
CMUDM7001 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음8,676
CMUDM7004 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT523 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음136,464
CMUDM7005 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음22,254
CMUDM8001 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음29,724
CMUDM8004 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음29,934
CMUDM8005 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음3,438
CP373-CMPDM303-CT20 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,938
CP373-CMPDM303NH-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,184
CP373-CMPDM303NH-WN Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,562
CP373-CTLDM303N-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,454
CP373-CTLDM303N-WN Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,238
CP773-CMPDM302PH-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,352
CP773-CMPDM302PH-WN Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음2,916
CPC3701C IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V SOT89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음3,078
CPC3701CTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V SOT89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음7,704
CPC3703C IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89-3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음3,078
CPC3703CTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89-3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음59,496
CPC3708CTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -0.35V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 110°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음6,480
CPC3708ZTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -0.35V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 110°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,420
CPC3710C IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V SOT89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 220mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음5,832
CPC3710CTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V SOT89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 220mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음6,318
CPC3714C IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 350V SOT89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 240mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음4,608

CMPDM7002AG BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
Vgs (최대): 40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,312

CMPDM7002AG TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음85,914

CMPDM7002AHC TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음56,796

CMPDM7003 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음54,360

CMS16N06D-HF

Comchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 64A TO-2

제조업체: Comchip Technology
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 815pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음21,840

CMS16P06H8-HF

Comchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60VDS 20VGS 64A DFN5

제조업체: Comchip Technology
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1256pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN5x6 (PR-PAK)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음26,670

CMS45P03H8-HF

Comchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30VDS 20VGS 150A DFN

제조업체: Comchip Technology
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2215pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN5x6 (PR-PAK)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,198

CMS70N04H8-HF

Comchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40VDS 20VGS 70A DFN5

제조업체: Comchip Technology
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1278pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 72.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN5x6 (PR-PAK)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음22,290

CMUDM7001 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음8,676

CMUDM7004 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT523

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음136,464

CMUDM7005 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음22,254

CMUDM8001 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음29,724

CMUDM8004 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음29,934

CMUDM8005 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음3,438

CP373-CMPDM303-CT20

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,938

CP373-CMPDM303NH-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,184

CP373-CMPDM303NH-WN

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,562

CP373-CTLDM303N-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,454

CP373-CTLDM303N-WN

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,238

CP773-CMPDM302PH-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,352

CP773-CMPDM302PH-WN

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음2,916

CPC3701C

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음3,078

CPC3701CTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음7,704

CPC3703C

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89-3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음3,078

CPC3703CTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89-3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음59,496

CPC3708CTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -0.35V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 110°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음6,480

CPC3708ZTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -0.35V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 110°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,420

CPC3710C

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V SOT89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 220mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음5,832

CPC3710CTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V SOT89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 220mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음6,318

CPC3714C

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V SOT89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 240mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음4,608

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