트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD17579Q3A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 998pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,802
CSD17579Q3AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 998pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음52,332
CSD17579Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음334
CSD17579Q5AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음14,412
CSD17581Q3A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 30V N CH MOSFET 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음51,378
CSD17581Q3AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음15,708
CSD17581Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 30V N CH MOSFET 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 123A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,076
CSD17581Q5AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 123A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음13,092
CSD17585F5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 30V N CH MOSFET 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음54,318
CSD17585F5T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음45,432
CSD18501Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3840pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음630,240
CSD18502KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4680pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 259W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,624
CSD18502Q5B Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,686
CSD18502Q5BT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,308
CSD18503KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3150pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음15,804
CSD18503Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2640pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 120W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음215,496
CSD18503Q5AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2640pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 120W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음17,112
CSD18504KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V TO220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,120
CSD18504Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1656pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음618,072
CSD18504Q5AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1656pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음32,358
CSD18509Q5B Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13900pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음60,426
CSD18509Q5BT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13900pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음401,958
CSD18510KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음17,700
CSD18510KTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN1.4 40V-20V 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 274A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음16,404
CSD18510KTTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 274A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 132nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음5,472
CSD18510Q5B Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,370
CSD18510Q5BT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음20,616
CSD18511KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NEW LF VERSION OF CSD18502KCS 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 194A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5940pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음20,196
CSD18511KTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN1.4 40V-20V 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 194A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5940pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,778
CSD18511KTTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Ta), 194A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5940pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,796

CSD17579Q3A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 998pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,802

CSD17579Q3AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 998pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음52,332

CSD17579Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음334

CSD17579Q5AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음14,412

CSD17581Q3A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

30V N CH MOSFET

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음51,378

CSD17581Q3AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음15,708

CSD17581Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

30V N CH MOSFET

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 123A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,076

CSD17581Q5AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 123A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음13,092

CSD17585F5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

30V N CH MOSFET

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음54,318

CSD17585F5T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음45,432

CSD18501Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3840pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음630,240

CSD18502KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4680pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 259W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,624

CSD18502Q5B

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,686

CSD18502Q5BT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,308

CSD18503KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3150pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음15,804

CSD18503Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2640pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음215,496

CSD18503Q5AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2640pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음17,112

CSD18504KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V TO220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,120

CSD18504Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1656pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음618,072

CSD18504Q5AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1656pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음32,358

CSD18509Q5B

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13900pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음60,426

CSD18509Q5BT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13900pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음401,958

CSD18510KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음17,700

CSD18510KTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN1.4 40V-20V

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 274A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음16,404

CSD18510KTTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 274A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 132nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음5,472

CSD18510Q5B

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,370

CSD18510Q5BT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음20,616

CSD18511KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NEW LF VERSION OF CSD18502KCS

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 194A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5940pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음20,196

CSD18511KTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN1.4 40V-20V

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 194A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5940pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,778

CSD18511KTTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Ta), 194A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5940pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,796

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