트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FCH040N65S3-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 6.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4740pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,588
FCH041N60E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 600V 77A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 592W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음20,856
FCH041N60F ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 600V 76A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14365pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음9,552
FCH041N60F-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 600V 76A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 347nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,944
FCH041N65EF-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 76A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 7.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12560pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음18,912
FCH041N65EFL4 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 76A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 7.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12560pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음9,468
FCH041N65EFLN4 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SF2 650V 44MOHM F TO2474L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 7.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12560pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-4 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음3,096
FCH041N65F-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 76A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 304nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13566pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,372
FCH041N65F-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 76A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 7.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 294nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13020pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,992
FCH043N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 75A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12225pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 592W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,172
FCH060N80-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 56A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 5.8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14685pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,492
FCH067N65S3-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 44A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3090pF @ 400V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 312W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,008
FCH070N60E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 52A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 166nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4925pF @ 380V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 481W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음9,036
FCH072N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 52A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5890pF @ 380V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 481W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음10,740
FCH072N60F ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 52A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8660pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 481W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,012
FCH072N60F-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 52A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6330pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 481W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,952
FCH077N65F-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 54A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 164nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7162pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 481W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,658
FCH077N65F-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 54A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 164nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7109pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 481W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,718
FCH085N80-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 46A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10825pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 446W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,742
FCH099N60E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3465pF @ 380V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,896
FCH099N65S3_F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2480pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,400
FCH099N65S3-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SF3 650V 99MOHM E TO247L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2480pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,446
FCH104N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 37A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4165pF @ 380V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,068
FCH104N60F ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 37A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: HiPerFET™, Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,020
FCH104N60F-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 37A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4302pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음13,374
FCH110N65F-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 35A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4895pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,786
FCH125N60E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 29A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2990pF @ 380V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 278W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,752
FCH125N65S3R0-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SUPERFET3 650V TO247 PKG 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 2.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1940pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 181W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음9,060
FCH130N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 28A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3590pF @ 380V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 278W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,010
FCH150N65F-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 24A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3737pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 298W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,294

FCH040N65S3-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 6.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4740pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,588

FCH041N60E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 77A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 592W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음20,856

FCH041N60F

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 76A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14365pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음9,552

FCH041N60F-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 76A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 347nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,944

FCH041N65EF-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 7.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 298nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12560pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음18,912

FCH041N65EFL4

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 76A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 7.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 298nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12560pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음9,468

FCH041N65EFLN4

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SF2 650V 44MOHM F TO2474L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 7.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 298nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12560pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-4
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음3,096

FCH041N65F-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 304nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13566pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,372

FCH041N65F-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 7.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 294nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13020pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,992

FCH043N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 75A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12225pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 592W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,172

FCH060N80-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 56A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 5.8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14685pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,492

FCH067N65S3-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 44A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3090pF @ 400V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 312W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,008

FCH070N60E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 52A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 166nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4925pF @ 380V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 481W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음9,036

FCH072N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 52A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5890pF @ 380V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 481W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음10,740

FCH072N60F

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 52A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8660pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 481W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,012

FCH072N60F-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 52A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6330pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 481W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,952

FCH077N65F-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 54A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 164nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7162pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 481W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,658

FCH077N65F-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 54A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 164nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7109pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 481W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,718

FCH085N80-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 46A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10825pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 446W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,742

FCH099N60E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3465pF @ 380V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,896

FCH099N65S3_F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2480pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,400

FCH099N65S3-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SF3 650V 99MOHM E TO247L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2480pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,446

FCH104N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 37A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4165pF @ 380V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,068

FCH104N60F

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 37A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: HiPerFET™, Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,020

FCH104N60F-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 37A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4302pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음13,374

FCH110N65F-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4895pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,786

FCH125N60E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 29A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2990pF @ 380V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 278W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,752

FCH125N65S3R0-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SUPERFET3 650V TO247 PKG

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1940pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 181W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음9,060

FCH130N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 28A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3590pF @ 380V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 278W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,010

FCH150N65F-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 24A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3737pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 298W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,294

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