트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FCH165N60E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 23A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2434pF @ 380V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,868
FCH165N65S3R0-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SF3 650V 165MOHM E TO247L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.9mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 154W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,336
FCH170N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 22A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2860pF @ 380V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,544
FCH190N65F-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3181pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,064
FCH190N65F-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3225pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,430
FCH20N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,150
FCH22N60N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SupreMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 205W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음19,920
FCH25N60N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SupreMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3352pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 216W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음10,788
FCH35N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 312.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,086
FCH47N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,798
FCH47N60F ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,834
FCH47N60-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,910
FCH47N60-F133 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,418
FCH47N60F-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,976
FCH47N60F-F133 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 417W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음9,300
FCH47N60N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SupreMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6700pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 368W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음9,660
FCH47N60NF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SupreMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 157nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6120pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 368W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,402
FCH76N60N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 76A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SupreMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 285nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12385pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 543W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,652
FCH76N60NF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SupreMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11045pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 543W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,096
FCHD040N65S3-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET 650V 65A TO247AD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,138
FCHD125N65S3R0-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET 650V 24A TO247AD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,002
FCHD190N65S3R0-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET 650V 17A TO247AD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,664
FCI11N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음2,520
FCI25N60N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SupreMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3352pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 216W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음7,056
FCI25N60N-F102 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SupreMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3352pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 216W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음7,902
FCI7N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,768
FCMT099N65S3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 30A POWER88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2270pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power88 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음8,640
FCMT125N65S3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SF3 650V 125MOHM MOSFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 590µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1920pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 181W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-PQFN (8x8) 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음6,642
FCMT180N65S3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SUPERFET3 650V PQFN88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 139W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power88 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음8,100
FCMT199N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power88 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음7,002

FCH165N60E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 23A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2434pF @ 380V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,868

FCH165N65S3R0-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SF3 650V 165MOHM E TO247L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 154W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,336

FCH170N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 22A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2860pF @ 380V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,544

FCH190N65F-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3181pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,064

FCH190N65F-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3225pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,430

FCH20N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,150

FCH22N60N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 22A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SupreMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 205W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음19,920

FCH25N60N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SupreMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3352pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 216W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음10,788

FCH35N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 181nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 312.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,086

FCH47N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,798

FCH47N60F

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,834

FCH47N60-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,910

FCH47N60-F133

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,418

FCH47N60F-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,976

FCH47N60F-F133

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 417W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음9,300

FCH47N60N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SupreMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6700pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 368W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음9,660

FCH47N60NF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SupreMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 157nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6120pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 368W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,402

FCH76N60N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 76A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SupreMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 285nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12385pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 543W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,652

FCH76N60NF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SupreMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11045pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 543W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,096

FCHD040N65S3-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET 650V 65A TO247AD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,138

FCHD125N65S3R0-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET 650V 24A TO247AD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,002

FCHD190N65S3R0-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET 650V 17A TO247AD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,664

FCI11N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음2,520

FCI25N60N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SupreMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3352pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 216W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음7,056

FCI25N60N-F102

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SupreMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3352pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 216W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음7,902

FCI7N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,768

FCMT099N65S3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 30A POWER88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2270pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power88
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음8,640

FCMT125N65S3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SF3 650V 125MOHM MOSFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 590µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1920pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 181W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-PQFN (8x8)
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음6,642

FCMT180N65S3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SUPERFET3 650V PQFN88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 139W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power88
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음8,100

FCMT199N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power88
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음7,002

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