트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 272µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음2,196
IPT029N08N5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ 5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Ta), 169A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 168W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음19,458
IPT043N15N5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,538
IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 155A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음7,956
IPT111N20NFDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 96A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 267µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음3,438
IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,984
IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ G7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.44mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4820pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 391W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음6,426
IPT60R050G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ G7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 245W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음8,982
IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ G7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 490µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음21,252
IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ G7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 390µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 141W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음17,922
IPT60R125G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ G7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 320µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음4,932
IPT60R150G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ G7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 902pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 106W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음5,778
IPT65R033G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.44mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 391W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음5,202
IPT65R105G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_NEW 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음7,794
IPT65R195G7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_NEW 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 97W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음3,744
IPU039N03LGXK Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,128
IPU04N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5199pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,418
IPU04N03LA G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5199pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,750
IPU04N03LB G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,858
IPU050N03L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 68W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,502
IPU05N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,950
IPU05N03LA G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,838
IPU060N03L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 56W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,600
IPU06N03LAGXK Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2653pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,294
IPU06N03LB G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,760
IPU075N03L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,336
IPU07N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2653pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,394
IPU090N03L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,780
IPU09N03LA G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,610
IPU09N03LB G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 58W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,920

IPT020N10N3ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 272µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음2,196

IPT029N08N5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™ 5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Ta), 169A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 168W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음19,458

IPT043N15N5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,538

IPT059N15N3ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 155A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음7,956

IPT111N20NFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 96A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 267µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음3,438

IPT210N25NFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,984

IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ G7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.44mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4820pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 391W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음6,426

IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ G7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 245W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음8,982

IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ G7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 490µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음21,252

IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ G7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 390µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 141W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음17,922

IPT60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ G7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 320µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음4,932

IPT60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ G7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 902pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 106W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음5,778

IPT65R033G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.44mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 391W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음5,202

IPT65R105G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_NEW

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음7,794

IPT65R195G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_NEW

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 97W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음3,744

IPU039N03LGXK

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,128

IPU04N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5199pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,418

IPU04N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5199pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,750

IPU04N03LB G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,858

IPU050N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 68W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,502

IPU05N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,950

IPU05N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,838

IPU060N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 56W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,600

IPU06N03LAGXK

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A TO-251

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2653pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,294

IPU06N03LB G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,760

IPU075N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,336

IPU07N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A TO-251

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2653pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,394

IPU090N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,780

IPU09N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A TO-251

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,610

IPU09N03LB G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 58W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,920

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