트랜지스터

IPU60R600C6AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU60R600C6BKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU60R950C6AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU60R950C6BKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU64CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 569pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 44W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU78CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 716pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R1K0CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3-341
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R1K0CEBKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R1K2P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R1K4CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R1K4CEBKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4A IPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.05nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 500V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 32W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 24W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPU80R2K4P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPU80R2K8CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 120µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R2K8CEBKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 120µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPU80R3K3P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 18W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 500V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 13W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R600P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPU80R750P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 51W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 110µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU95R1K2P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 6A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU95R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 4A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU95R3K7P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 2A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 196pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU95R450P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 14A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 360µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1053pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 104W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU95R750P7AKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 9A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 712pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 73W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPUH6N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 71W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPUH6N03LB G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPW50R140CPFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 23A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 930µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 192W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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IPW50R190CEFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 510µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1137pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 127W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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