트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRFS4228PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 107nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,650
IRFS4228TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 107nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,964
IRFS4229PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4560pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,646
IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4560pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음17,688
IRFS4310PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,950
IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음17,904
IRFS4310TRRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,932
IRFS4310ZPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6860pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,592
IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6860pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음21,576
IRFS4321-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음7,290
IRFS4321PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,200
IRFS4321TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음3,834
IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음15,834
IRFS4321TRRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,770
IRFS4410 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 96A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,994
IRFS4410PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,112
IRFS4410TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음18,564
IRFS4410ZPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 97A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4820pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,136
IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 97A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4820pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음16,644
IRFS450B ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PF 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack	재고 있음7,146
IRFS4510PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3180pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 140W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,102
IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3180pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 140W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,490
IRFS4610 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,268
IRFS4610PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,402
IRFS4610TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음17,808
IRFS4610TRRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,416
IRFS4615PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 33A D2-PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,196
IRFS4615TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,698
IRFS4620PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,744
IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음53,448

IRFS4228PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 107nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,650

IRFS4228TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 107nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,964

IRFS4229PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4560pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,646

IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4560pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음17,688

IRFS4310PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,950

IRFS4310TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음17,904

IRFS4310TRRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,932

IRFS4310ZPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6860pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,592

IRFS4310ZTRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6860pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음21,576

IRFS4321-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음7,290

IRFS4321PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,200

IRFS4321TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음3,834

IRFS4321TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음15,834

IRFS4321TRRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,770

IRFS4410

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 96A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,994

IRFS4410PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,112

IRFS4410TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음18,564

IRFS4410ZPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 97A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4820pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,136

IRFS4410ZTRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 97A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4820pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음16,644

IRFS450B

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PF
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack

재고 있음7,146

IRFS4510PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3180pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 140W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,102

IRFS4510TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3180pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 140W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,490

IRFS4610

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,268

IRFS4610PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,402

IRFS4610TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음17,808

IRFS4610TRRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,416

IRFS4615PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 33A D2-PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,196

IRFS4615TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,698

IRFS4620PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,744

IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음53,448

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message