트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4730pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음16,020
IRFS750A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 8.4A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 131nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2780pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 49W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,148
IRFS7530-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 354nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12960pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음6,264
IRFS7530PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 411nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13703pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,012
IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 354nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12960pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음7,830
IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 411nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13703pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음15,168
IRFS7534-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음4,806
IRFS7534PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 279nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10034pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 294W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,266
IRFS7534TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음20,916
IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 279nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10034pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 294W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음6,894
IRFS7537PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 173A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 173A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,160
IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 173A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 173A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,490
IRFS7540PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 110A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4555pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,448
IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 110A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4555pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,114
IRFS7730-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 428nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13970pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음3,580
IRFS7730PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 407nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,368
IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 428nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13970pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음6,282
IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 407nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음21,000
IRFS7734-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10130pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 294W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음7,308
IRFS7734PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 183A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,454
IRFS7734TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10130pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 294W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음21,096
IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 183A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,700
IRFS7762PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 140W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,884
IRFS7762TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 140W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,164
IRFS7787PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 109nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,088
IRFS7787TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 109nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,408
IRFS9N60A Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,370
IRFS9N60APBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음12,228
IRFS9N60ATRL Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,176
IRFS9N60ATRLPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,452

IRFS7440TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 40V 120A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4730pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음16,020

IRFS750A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 8.4A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 131nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2780pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 49W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,148

IRFS7530-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 354nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12960pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음6,264

IRFS7530PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 411nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13703pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,012

IRFS7530TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 354nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12960pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음7,830

IRFS7530TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 411nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13703pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음15,168

IRFS7534-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음4,806

IRFS7534PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 279nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10034pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 294W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,266

IRFS7534TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음20,916

IRFS7534TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 279nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10034pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 294W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음6,894

IRFS7537PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 173A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 173A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,160

IRFS7537TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 173A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 173A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,490

IRFS7540PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4555pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,448

IRFS7540TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4555pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,114

IRFS7730-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 428nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13970pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음3,580

IRFS7730PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 407nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,368

IRFS7730TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 428nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13970pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음6,282

IRFS7730TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 407nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음21,000

IRFS7734-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10130pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 294W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음7,308

IRFS7734PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 183A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,454

IRFS7734TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10130pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 294W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음21,096

IRFS7734TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 183A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,700

IRFS7762PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 140W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,884

IRFS7762TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 140W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,164

IRFS7787PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 109nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,088

IRFS7787TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 109nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,408

IRFS9N60A

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,370

IRFS9N60APBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음12,228

IRFS9N60ATRL

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,176

IRFS9N60ATRLPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,452

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message