트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXFN100N10S1 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,948
IXFN100N10S2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,470
IXFN100N10S3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,862
IXFN100N20 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,956
IXFN100N25 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,644
IXFN100N50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,418
IXFN100N50Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,374
IXFN100N65X2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 183nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,148
IXFN102N30P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,816
IXFN106N20 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 106A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 521W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,792
IXFN110N60P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 245nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음41
IXFN110N85X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 850V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 425nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,578
IXFN120N20 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,058
IXFN120N25 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,934
IXFN120N65X2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 108A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,238
IXFN130N30 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,896
IXFN132N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 112A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,950
IXFN140N20P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 680W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,766
IXFN140N25T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 690W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,466
IXFN140N30P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,470
IXFN150N10 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,804
IXFN150N15 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,078
IXFN150N65X2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,020
IXFN160N30T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 335nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,576
IXFN170N10 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 515nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,894
IXFN170N25X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,072
IXFN170N30P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 138A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 258nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,410
IXFN170N65X2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 434nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,940
IXFN180N07 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 480nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,808
IXFN180N10 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음13,374

IXFN100N10S1

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,948

IXFN100N10S2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,470

IXFN100N10S3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,862

IXFN100N20

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,956

IXFN100N25

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,644

IXFN100N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,418

IXFN100N50Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,374

IXFN100N65X2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 183nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,148

IXFN102N30P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,816

IXFN106N20

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 106A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 521W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,792

IXFN110N60P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 245nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음41

IXFN110N85X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 850V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 425nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,578

IXFN120N20

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,058

IXFN120N25

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,934

IXFN120N65X2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 108A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,238

IXFN130N30

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,896

IXFN132N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 112A SOT227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 112A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,950

IXFN140N20P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 680W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,766

IXFN140N25T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™ HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 690W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,466

IXFN140N30P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,470

IXFN150N10

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,804

IXFN150N15

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,078

IXFN150N65X2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,020

IXFN160N30T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 335nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,576

IXFN170N10

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 515nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,894

IXFN170N25X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,072

IXFN170N30P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 138A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 258nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,410

IXFN170N65X2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 434nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,940

IXFN180N07

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 480nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,808

IXFN180N10

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음13,374

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