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트랜지스터

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부품 번호
설명
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IXFV12N120PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 543W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음2,988
IXFV12N80P
IXFV12N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음7,470
IXFV12N80PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음2,268
IXFV12N90P
IXFV12N90P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 380W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음3,258
IXFV12N90PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 380W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음3,690
IXFV14N80P
IXFV14N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 400W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음3,510
IXFV14N80PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 400W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음8,424
IXFV15N100P

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5140pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 543W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음2,880
IXFV15N100PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5140pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 543W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음2,520
IXFV16N80P
IXFV16N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 460W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음2,592
IXFV16N80PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 460W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음8,172
IXFV18N60P
IXFV18N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음2,808
IXFV18N60PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음3,798
IXFV18N90P
IXFV18N90P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5230pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 540W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음3,078
IXFV18N90PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5230pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 540W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음2,250
IXFV20N80P
IXFV20N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4685pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음3,240
IXFV20N80PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4685pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음7,200
IXFV22N50P
IXFV22N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2630pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음2,430
IXFV22N50PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2630pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음5,922
IXFV22N60P
IXFV22N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 400W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음6,570
IXFV22N60PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 400W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음2,034
IXFV26N50P
IXFV26N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 400W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음5,976
IXFV26N50PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 400W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음5,454
IXFV26N60P
IXFV26N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: PolarHV™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 460W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음5,778
IXFV26N60PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: PolarHV™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 460W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음5,004
IXFV30N50P
IXFV30N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 460W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음3,726
IXFV30N50PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 460W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음4,752
IXFV30N60P
IXFV30N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음3,888
IXFV30N60PS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PLUS-220SMD
  • 패키지 / 케이스: PLUS-220SMD
재고 있음2,808
IXFV36N50P
IXFV36N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 540W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PLUS220
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab
재고 있음4,446