트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXFX320N17T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 170V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 640nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1670W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,722
IXFX32N100P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,958
IXFX32N100Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9940pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,279
IXFX32N48Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,012
IXFX32N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,672
IXFX32N50Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 416W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,888
IXFX32N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,914
IXFX32N80Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6940pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1000W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,360
IXFX32N90P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,502
IXFX34N80 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,720
IXFX360N10T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 525nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,264
IXFX360N15T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 715nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1670W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음17,784
IXFX38N80Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 735W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음117
IXFX40N90P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,208
IXFX420N10T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 420A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 670nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1670W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,358
IXFX44N50Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,844
IXFX44N55Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,160
IXFX44N60 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,790
IXFX44N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 198nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,804
IXFX44N80Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,382
IXFX48N50Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,564
IXFX48N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8860pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,984
IXFX48N60Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1000W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,742
IXFX50N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,166
IXFX520N075T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 520A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 545nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,356
IXFX52N100X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET 1KV 52A ULTRA JCT PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 245nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6725pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™ 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,218
IXFX52N30Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,150
IXFX52N60Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 198nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 735W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,218
IXFX55N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,100
IXFX55N50F IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 제조업체: IXYS-RF 시리즈: HiPerRF™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,860

IXFX320N17T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 170V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 640nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1670W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,722

IXFX32N100P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,958

IXFX32N100Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9940pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,279

IXFX32N48Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,012

IXFX32N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,672

IXFX32N50Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 416W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,888

IXFX32N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,914

IXFX32N80Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6940pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1000W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,360

IXFX32N90P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,502

IXFX34N80

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,720

IXFX360N10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™ HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 525nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,264

IXFX360N15T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 715nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1670W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음17,784

IXFX38N80Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 735W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음117

IXFX40N90P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,208

IXFX420N10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™ HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 420A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 670nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1670W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,358

IXFX44N50Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,844

IXFX44N55Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,160

IXFX44N60

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,790

IXFX44N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 198nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,804

IXFX44N80Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,382

IXFX48N50Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,564

IXFX48N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8860pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,984

IXFX48N60Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1000W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,742

IXFX50N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,166

IXFX520N075T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 520A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 545nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,356

IXFX52N100X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET 1KV 52A ULTRA JCT PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 245nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6725pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,218

IXFX52N30Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,150

IXFX52N60Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 198nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 735W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,218

IXFX55N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,100

IXFX55N50F

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247

제조업체: IXYS-RF
시리즈: HiPerRF™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,860

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