트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXFZ140N25T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 100A DE475 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 445W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DE475 패키지 / 케이스: DE475	재고 있음4,338
IXFZ520N075T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 465A DE-475 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 465A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 545nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DE475 패키지 / 케이스: DE475	재고 있음3,204
IXKC13N80C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음4,554
IXKC15N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음8,352
IXKC19N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음3,780
IXKC20N60C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음3,546
IXKC23N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음4,212
IXKC25N80C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음8,118
IXKC40N60C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음6,552
IXKF40N60SCD1 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)	재고 있음6,084
IXKG25N80C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 166nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISO264™ 패키지 / 케이스: ISO264™	재고 있음5,922
IXKH20N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH) 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack	재고 있음7,236
IXKH24N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 790µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH) 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack	재고 있음7,308
IXKH30N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 10V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH) 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack	재고 있음7,740
IXKH35N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH) 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack	재고 있음4,572
IXKH47N60C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 650nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,344
IXKH70N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,832
IXKK85N60C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 650nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264A 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음6,636
IXKN40N60C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,164
IXKN45N80C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,092
IXKN75N60C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 500nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 560W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,248
IXKP10N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 340µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,712
IXKP10N60C5M IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 340µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220ABFP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음2,178
IXKP13N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,992
IXKP13N60C5M IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220ABFP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음7,218
IXKP20N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,898
IXKP20N60C5M IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220ABFP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음2,412
IXKP24N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 790µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,184
IXKP24N60C5M IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 790µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220ABFP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음3,454
IXKP35N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,794

IXFZ140N25T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 100A DE475

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™ HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 445W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DE475
패키지 / 케이스: DE475

재고 있음4,338

IXFZ520N075T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 465A DE-475

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 465A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 545nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DE475
패키지 / 케이스: DE475

재고 있음3,204

IXKC13N80C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음4,554

IXKC15N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음8,352

IXKC19N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음3,780

IXKC20N60C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음3,546

IXKC23N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음4,212

IXKC25N80C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음8,118

IXKC40N60C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음6,552

IXKF40N60SCD1

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)

재고 있음6,084

IXKG25N80C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 25A ISO264

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 166nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISO264™
패키지 / 케이스: ISO264™

재고 있음5,922

IXKH20N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH)
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack

재고 있음7,236

IXKH24N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 790µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH)
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack

재고 있음7,308

IXKH30N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 10V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH)
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack

재고 있음7,740

IXKH35N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH)
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack

재고 있음4,572

IXKH47N60C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 650nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,344

IXKH70N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXKH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,832

IXKK85N60C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 650nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264A
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음6,636

IXKN40N60C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,164

IXKN45N80C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,092

IXKN75N60C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 500nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 560W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,248

IXKP10N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 340µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,712

IXKP10N60C5M

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 340µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220ABFP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음2,178

IXKP13N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,992

IXKP13N60C5M

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220ABFP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음7,218

IXKP20N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,898

IXKP20N60C5M

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220ABFP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음2,412

IXKP24N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 790µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,184

IXKP24N60C5M

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 790µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220ABFP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음3,454

IXKP35N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,794

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