트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXKR25N80C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS247™	재고 있음8,460
IXKR40N60C IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS247™	재고 있음8,946
IXKR47N60C5 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS247™	재고 있음6,606
IXKT70N60C5-TRL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 제조업체: IXYS 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,628
IXKT70N60C5-TUB IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 68A TO-268 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-268 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음6,516
IXRFSM12N100 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE 제조업체: IXYS-RF 시리즈: SMPD FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2875pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 16-SMPD 패키지 / 케이스: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad	재고 있음3,438
IXRFSM18N50 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE 제조업체: IXYS-RF 시리즈: SMPD FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 835W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 16-SMPD 패키지 / 케이스: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad	재고 있음6,120
IXT-1-1N100S1 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,776
IXT-1-1N100S1-TR IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,642
IXTA02N250 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 2500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 116pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,622
IXTA02N250HV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 2500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 116pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263AB 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,842
IXTA02N450HV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 256pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 113W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,794
IXTA05N100 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,310
IXTA05N100HV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,766
IXTA06N120P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: PolarVHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음21,972
IXTA08N100D2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,798
IXTA08N100D2HV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263HV 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,758
IXTA08N100P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,672
IXTA08N120P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 333pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,382
IXTA08N50D2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 312pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,398
IXTA100N04T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2690pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,364
IXTA100N15X4 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 100A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263AA 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,886
IXTA102N15T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 102A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5220pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 455W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,714
IXTA10N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,880
IXTA10P50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: PolarP™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음28,860
IXTA10P50P-TRL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA 제조업체: IXYS 시리즈: PolarP™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음67,062
IXTA110N055P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2210pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,788
IXTA110N055T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,204
IXTA110N055T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3060pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 180W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,326
IXTA110N055T7 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-7 (IXTA..7) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음3,312

IXKR25N80C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 355nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™
패키지 / 케이스: ISOPLUS247™

재고 있음8,460

IXKR40N60C

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™
패키지 / 케이스: ISOPLUS247™

재고 있음8,946

IXKR47N60C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™
패키지 / 케이스: ISOPLUS247™

재고 있음6,606

IXKT70N60C5-TRL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 600V 68A TO-268

제조업체: IXYS
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,628

IXKT70N60C5-TUB

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 68A TO-268

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-268
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음6,516

IXRFSM12N100

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE

제조업체: IXYS-RF
시리즈: SMPD
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2875pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 16-SMPD
패키지 / 케이스: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

재고 있음3,438

IXRFSM18N50

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE

제조업체: IXYS-RF
시리즈: SMPD
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 835W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 16-SMPD
패키지 / 케이스: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

재고 있음6,120

IXT-1-1N100S1

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,776

IXT-1-1N100S1-TR

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,642

IXTA02N250

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 2500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 116pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,622

IXTA02N250HV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 2500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 116pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263AB
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,842

IXTA02N450HV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 256pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 113W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,794

IXTA05N100

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,310

IXTA05N100HV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,766

IXTA06N120P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: PolarVHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음21,972

IXTA08N100D2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,798

IXTA08N100D2HV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263HV
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,758

IXTA08N100P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,672

IXTA08N120P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 333pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,382

IXTA08N50D2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 312pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,398

IXTA100N04T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2690pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,364

IXTA100N15X4

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 100A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263AA
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,886

IXTA102N15T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5220pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 455W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,714

IXTA10N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,880

IXTA10P50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: PolarP™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음28,860

IXTA10P50P-TRL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

제조업체: IXYS
시리즈: PolarP™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음67,062

IXTA110N055P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2210pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,788

IXTA110N055T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,204

IXTA110N055T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3060pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 180W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,326

IXTA110N055T7

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-7 (IXTA..7)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음3,312

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