트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MCH3477-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음6,282
MCH3477-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음4,392
MCH3478-S-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 2A 30V MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-MCPH 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음4,176
MCH3478-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-MCPH 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음4,680
MCH3478-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-MCPH 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음50,610
MCH3478-TL-W-Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,186
MCH3479-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음2,214
MCH3479-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,370
MCH3481-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±9V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음4,338
MCH3481-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±9V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,928
MCH3484-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0.9V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 2.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,964
MCH3484-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0.9V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 2.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음6,264
MCH3486-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음2,484
MCH3486-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음4,140
MCH5839-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH5 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	재고 있음5,436
MCH5839-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88AFL/MCPH5 패키지 / 케이스: 5-SMD, Flat Leads	재고 있음6,120
MCH6320-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음3,114
MCH6320-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음7,056
MCH6321-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음4,680
MCH6321-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음5,886
MCH6331-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음4,986
MCH6331-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음3,996
MCH6331-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음6,300
MCH6336-P-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음8,244
MCH6336-S-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음2,826
MCH6336-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PCH 1.8V DRIVE SERIES 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음5,832
MCH6336-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음4,410
MCH6336-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음5,328
MCH6337-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음3,744
MCH6337-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MCPH 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음5,328

MCH3477-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음6,282

MCH3477-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음4,392

MCH3478-S-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 2A 30V MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-MCPH
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음4,176

MCH3478-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-MCPH
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음4,680

MCH3478-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-MCPH
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음50,610

MCH3478-TL-W-Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,186

MCH3479-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음2,214

MCH3479-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,370

MCH3481-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±9V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음4,338

MCH3481-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±9V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,928

MCH3484-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0.9V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,964

MCH3484-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0.9V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음6,264

MCH3486-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음2,484

MCH3486-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음4,140

MCH5839-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH5

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

재고 있음5,436

MCH5839-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88AFL/MCPH5
패키지 / 케이스: 5-SMD, Flat Leads

재고 있음6,120

MCH6320-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음3,114

MCH6320-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음7,056

MCH6321-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음4,680

MCH6321-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음5,886

MCH6331-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음4,986

MCH6331-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음3,996

MCH6331-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음6,300

MCH6336-P-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음8,244

MCH6336-S-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음2,826

MCH6336-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PCH 1.8V DRIVE SERIES

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음5,832

MCH6336-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음4,410

MCH6336-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음5,328

MCH6337-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음3,744

MCH6337-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MCPH
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음5,328

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