트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NDS8410A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,490
NDS8425 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1098pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음20,610
NDS8426A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,794
NDS8434 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2330pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음23,358
NDS8434A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,158
NDS8435 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,078
NDS8435A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,102
NDS9400A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,176
NDS9405 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1425pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,194
NDS9407 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 732pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음51,696
NDS9407_G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 732pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,492
NDS9410A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,190
NDS9430 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,248
NDS9430A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,860
NDS9435A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,610
NDT014 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음241,290
NDT014L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 214pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,222
NDT01N60T1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,012
NDT02N40T1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 121pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,742
NDT02N60ZT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,086
NDT02N60ZT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,682
NDT03N40ZT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,070
NDT03N40ZT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,640
NDT2955 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 601pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음394,848
NDT3055 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음231,630
NDT3055L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음673,404
NDT451AN ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음30,150
NDT451AN_J23Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,132
NDT451N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.5A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,402
NDT452AP ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음117,090

NDS8410A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,490

NDS8425

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1098pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음20,610

NDS8426A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,794

NDS8434

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2330pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음23,358

NDS8434A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,158

NDS8435

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,078

NDS8435A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,102

NDS9400A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,176

NDS9405

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1425pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,194

NDS9407

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 732pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음51,696

NDS9407_G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 732pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,492

NDS9410A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,190

NDS9430

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,248

NDS9430A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,860

NDS9435A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,610

NDT014

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음241,290

NDT014L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 214pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,222

NDT01N60T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,012

NDT02N40T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 121pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,742

NDT02N60ZT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,086

NDT02N60ZT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,682

NDT03N40ZT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,070

NDT03N40ZT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,640

NDT2955

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 601pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음394,848

NDT3055

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음231,630

NDT3055L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음673,404

NDT451AN

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음30,150

NDT451AN_J23Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,132

NDT451N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.5A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,402

NDT452AP

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음117,090

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message