트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NDT452P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 525pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,606
NDT453N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,930
NDT454P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음30,882
NDT455N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,686
NDT456P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음86,502
NDTL01N60ZT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 92pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,994
NDTL01N60ZT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 92pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,032
NDTL03N150CG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 140W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P(L) 패키지 / 케이스: TO-3PL	재고 있음6,714
NDUL03N150CG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P(L) 패키지 / 케이스: TO-3PL	재고 있음9,276
NDUL09N150CG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2025pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PF-3 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack	재고 있음5,508
NIF9N05CLT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 52V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 35V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.69W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,852
NIF9N05CLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 59V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 35V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.69W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,030
NIF9N05CLT3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 52V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 35V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.69W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,874
NIF9N05CLT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 59V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 35V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.69W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,878
NILMS4501NR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 6V FET 기능: Current Sensing 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-PLLP 패키지 / 케이스: 4-PowerDFN	재고 있음2,100
NILMS4501NR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 6V FET 기능: Current Sensing 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-PLLP 패키지 / 케이스: 4-PowerDFN	재고 있음4,446
NMSD200B01-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-363 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음26,892
NP100N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 176W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음6,876
NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 176W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,578
NP100P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,912
NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,804
NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,064
NP100P06PLG-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,456
NP109N04PUG-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 220W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,128
NP109N04PUJ-E2B-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,444
NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 250W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,860
NP109N055PUJ-E1B-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 220W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,460
NP109N055PUJ-E2B-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,988
NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 250W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,542
NP110N03PUG-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 288W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,412

NDT452P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 525pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,606

NDT453N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,930

NDT454P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음30,882

NDT455N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,686

NDT456P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음86,502

NDTL01N60ZT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 92pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,994

NDTL01N60ZT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 92pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,032

NDTL03N150CG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 140W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P(L)
패키지 / 케이스: TO-3PL

재고 있음6,714

NDUL03N150CG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P(L)
패키지 / 케이스: TO-3PL

재고 있음9,276

NDUL09N150CG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2025pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PF-3
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack

재고 있음5,508

NIF9N05CLT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 52V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 35V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.69W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,852

NIF9N05CLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 59V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 35V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.69W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,030

NIF9N05CLT3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 52V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 35V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.69W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,874

NIF9N05CLT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 59V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 35V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.69W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,878

NILMS4501NR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 6V
FET 기능: Current Sensing
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-PLLP
패키지 / 케이스: 4-PowerDFN

재고 있음2,100

NILMS4501NR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 6V
FET 기능: Current Sensing
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-PLLP
패키지 / 케이스: 4-PowerDFN

재고 있음4,446

NMSD200B01-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-363
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음26,892

NP100N04PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음6,876

NP100N055PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,578

NP100P04PDG-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,912

NP100P04PLG-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,804

NP100P06PDG-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,064

NP100P06PLG-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,456

NP109N04PUG-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 220W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,128

NP109N04PUJ-E2B-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,444

NP109N04PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 189nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,860

NP109N055PUJ-E1B-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 220W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,460

NP109N055PUJ-E2B-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,988

NP109N055PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 189nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,542

NP110N03PUG-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,412

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