트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTP85N03RG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 28V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 80W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,348
NTP8G202NG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 9A TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,608
NTP8G206NG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 17A TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,598
NTP90N02 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,498
NTP90N02G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,724
NTPF082N65S3F ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SUPERFET3 650V TO220F PKG 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음12,756
NTPF110N65S3HF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SUPERFET3 650V FRFET,110M 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 740µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2635pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 240W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음18,636
NTPF150N65S3HF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 24A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 540µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1985pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 192W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,114
NTPF190N65S3HF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SUPERFET3 650V FRFET,190M 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FRFET®, SuperFET® III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 430µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,520
NTQS6463R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 930mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음8,442
NTR0202PLT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,508
NTR0202PLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음617,772
NTR0202PLT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,092
NTR1P02LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음711,030
NTR1P02LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,114
NTR1P02T1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,528
NTR1P02T1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음566,106
NTR1P02T3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,640
NTR1P02T3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,160
NTR2101PT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1173pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,526
NTR2101PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1173pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음717,336
NTR3161NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 820mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,346
NTR3162PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,016
NTR3162PT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,904
NTR3A052PZT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1243pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 860mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음166,146
NTR3A30PZT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1651pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음156,942
NTR3C21NZT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1540pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 470mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음53,982
NTR3C21NZT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1540pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 470mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,888
NTR4003NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.15nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 690mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음323,772
NTR4003NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.15nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 690mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,124,922

NTP85N03RG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 28V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 80W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,348

NTP8G202NG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,608

NTP8G206NG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 17A TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,598

NTP90N02

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,498

NTP90N02G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,724

NTPF082N65S3F

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SUPERFET3 650V TO220F PKG

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음12,756

NTPF110N65S3HF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SUPERFET3 650V FRFET,110M

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 740µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2635pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 240W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음18,636

NTPF150N65S3HF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 24A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 540µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1985pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 192W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,114

NTPF190N65S3HF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SUPERFET3 650V FRFET,190M

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FRFET®, SuperFET® III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 430µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,520

NTQS6463R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 930mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음8,442

NTR0202PLT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,508

NTR0202PLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음617,772

NTR0202PLT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,092

NTR1P02LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음711,030

NTR1P02LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,114

NTR1P02T1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,528

NTR1P02T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음566,106

NTR1P02T3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,640

NTR1P02T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,160

NTR2101PT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1173pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,526

NTR2101PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1173pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음717,336

NTR3161NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 820mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,346

NTR3162PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,016

NTR3162PT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,904

NTR3A052PZT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1243pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 860mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음166,146

NTR3A30PZT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1651pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음156,942

NTR3C21NZT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1540pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 470mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음53,982

NTR3C21NZT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1540pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 470mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,888

NTR4003NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.15nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 690mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음323,772

NTR4003NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.15nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 690mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,124,922

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