트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N4403_D29Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,976
2N4403_D81Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,444
2N4403G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,806
2N4403_J05Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,438
2N4403_J18Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,066
2N4403_J60Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,588
2N4403NLBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,370
2N4403RL ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,614
2N4403RLG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,896
2N4403RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,488
2N4403RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,344
2N4403RLRM ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,974
2N4403RLRMG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,766
2N4403RLRP ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,420
2N4403RLRPG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,538
2N4403_S00Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,148
2N4403T93 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음4,644
2N4403TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음80,130
2N4403TAR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음20,448
2N4403TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음42,546
2N4403TFR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음144,648
2N4405 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,448
2N4410 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.25A TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음7,884
2N4410 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,754
2N4410_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,690
2N4410_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,376
2N4410_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,094
2N4410_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,798
2N4424 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.5A TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 30nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음8,604
2N4449 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음6,246

2N4403_D29Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,976

2N4403_D81Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,444

2N4403G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,806

2N4403_J05Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,438

2N4403_J18Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,066

2N4403_J60Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,588

2N4403NLBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,370

2N4403RL

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,614

2N4403RLG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,896

2N4403RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,488

2N4403RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,344

2N4403RLRM

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,974

2N4403RLRMG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,766

2N4403RLRP

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,420

2N4403RLRPG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,538

2N4403_S00Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,148

2N4403T93

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음4,644

2N4403TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음80,130

2N4403TAR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음20,448

2N4403TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음42,546

2N4403TFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음144,648

2N4405

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,448

2N4410

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.25A TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음7,884

2N4410

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,754

2N4410_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,690

2N4410_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,376

2N4410_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,094

2N4410_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,798

2N4424

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.5A TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 30nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음8,604

2N4449

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음6,246

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