트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N5052 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN SILICON TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,896
2N5058 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.15A TO-39 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V 전력-최대: 1mW 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음8,640
2N5086 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음6,336
2N5086BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,056
2N5086TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,472
2N5086TAR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,514
2N5086TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,914
2N5086TFR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,812
2N5087 MICROSS/On Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL 제조업체: MICROSS/On Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,664
2N5087 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.05A TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음52,758
2N5087BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,286
2N5087G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.05A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,888
2N5087_J18Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,244
2N5087_J61Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,934
2N5087RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.05A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,156
2N5087RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.05A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,724
2N5087_S00Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,616
2N5087TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,340
2N5087TAR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,642
2N5087TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,418
2N5087TFR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,734
2N5088 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.05A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,632
2N5088 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음39,450
2N5088BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.1A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,004
2N5088_D11Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,050
2N5088_D81Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,880
2N5088G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.05A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,664
2N5088_J61Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,922
2N5088RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,066
2N5088RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,024

2N5052

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,896

2N5058

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.15A TO-39

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V
전력-최대: 1mW
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음8,640

2N5086

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음6,336

2N5086BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,056

2N5086TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,472

2N5086TAR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,514

2N5086TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,914

2N5086TFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,812

2N5087

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL

제조업체: MICROSS/On Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,664

2N5087

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.05A TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음52,758

2N5087BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,286

2N5087G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.05A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,888

2N5087_J18Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,244

2N5087_J61Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,934

2N5087RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.05A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,156

2N5087RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.05A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,724

2N5087_S00Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,616

2N5087TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,340

2N5087TAR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,642

2N5087TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,418

2N5087TFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,734

2N5088

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.05A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,632

2N5088

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음39,450

2N5088BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.1A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,004

2N5088_D11Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,050

2N5088_D81Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,880

2N5088G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.05A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,664

2N5088_J61Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,922

2N5088RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,066

2N5088RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,024

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