트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI7892BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3775pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음26,886
SI7898DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음48,834
SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음4,896
SI8401DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음8,244
SI8401DB-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음7,956
SI8402DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음7,542
SI8404DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음6,948
SI8405DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음6,210
SI8405DB-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음4,716
SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음3,708
SI8407DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (2.4x2) 패키지 / 케이스: 6-MICRO FOOT®CSP	재고 있음6,102
SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음86,934
SI8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Micro Foot (1x1) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음23,760
SI8413DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음24,528
SI8415DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음4,266
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 16A MICRO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-microfoot 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음3,798
SI8416DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 16A MICRO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음8,298
SI8417DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 패키지 / 케이스: 6-MICRO FOOT®CSP	재고 있음7,524
SI8424CDB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP	재고 있음5,706
SI8424DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음7,920
SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.6x1.6) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP	재고 있음8,496
SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음130,872
SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음7,020
SI8439DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음6,714
SI8441DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음6,642
SI8445DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음4,374
SI8447DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음8,082
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음5,796
SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음7,668
SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음24,072

SI7892BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3775pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음26,886

SI7898DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음48,834

SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음4,896

SI8401DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음8,244

SI8401DB-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음7,956

SI8402DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음7,542

SI8404DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음6,948

SI8405DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음6,210

SI8405DB-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음4,716

SI8406DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음3,708

SI8407DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (2.4x2)
패키지 / 케이스: 6-MICRO FOOT®CSP

재고 있음6,102

SI8409DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음86,934

SI8410DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Micro Foot (1x1)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음23,760

SI8413DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음24,528

SI8415DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음4,266

SI8416DB-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-microfoot
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음3,798

SI8416DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음8,298

SI8417DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스: 6-MICRO FOOT®CSP

재고 있음7,524

SI8424CDB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP

재고 있음5,706

SI8424DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음7,920

SI8425DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.6x1.6)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP

재고 있음8,496

SI8429DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음130,872

SI8435DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음7,020

SI8439DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음6,714

SI8441DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음6,642

SI8445DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음4,374

SI8447DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음8,082

SI8451DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음5,796

SI8457DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음7,668

SI8461DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음24,072

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message