트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI8465DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음8,406
SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP	재고 있음152,556
SI8467DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음3,580
SI8469DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음4,266
SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Micro Foot (1x1) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음7,884
SI8473EDB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음4,140
SI8475EDB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음3,366
SI8481DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen III FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음2,100
SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음2,034
SI8487DB-T1-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2240pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음8,244
SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 765pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음4,716
SI8497DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-microfoot 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음25,470
SI8499DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA	재고 있음154,878
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음5,670
SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음107,040
SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음4,086
SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음8,568
SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음376,464
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음4,608
SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 245pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음7,866
SI8812DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 8V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-UFBGA	재고 있음4,284
SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음686,598
SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음25,386
SI8819EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 3.7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음7,038
SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA	재고 있음111,234
SI8823EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen III FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음5,130
SI8824EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-Microfoot 패키지 / 케이스: 4-XFBGA	재고 있음215,514
SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 660mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power Micro Foot® (2.4x2) 패키지 / 케이스: 30-XFBGA	재고 있음2,196
SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음19,416
SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음20,982

SI8465DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음8,406

SI8466EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP

재고 있음152,556

SI8467DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음3,580

SI8469DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음4,266

SI8472DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Micro Foot (1x1)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음7,884

SI8473EDB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음4,140

SI8475EDB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음3,366

SI8481DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen III
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음2,100

SI8483DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음2,034

SI8487DB-T1-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2240pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음8,244

SI8489EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 765pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음4,716

SI8497DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-microfoot
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음25,470

SI8499DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA

재고 있음154,878

SI8800EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음5,670

SI8802DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음107,040

SI8805EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음4,086

SI8806DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음8,568

SI8808DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음376,464

SI8809EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음4,608

SI8810EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 245pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음7,866

SI8812DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 8V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-UFBGA

재고 있음4,284

SI8816EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음686,598

SI8817DB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음25,386

SI8819EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 3.7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음7,038

SI8821EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, CSPBGA

재고 있음111,234

SI8823EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen III
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음5,130

SI8824EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-Microfoot
패키지 / 케이스: 4-XFBGA

재고 있음215,514

SI8851EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 660mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power Micro Foot® (2.4x2)
패키지 / 케이스: 30-XFBGA

재고 있음2,196

SI9407BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음19,416

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음20,982

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