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트랜지스터

기록 64,903
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설명
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SIR818DP-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3660pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음3,780
SIR820DP-T1-GE3
SIR820DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3512pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 37.8W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음2,376
SIR826ADP-T1-GE3
SIR826ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음92,544
SIR826BDP-T1-RE3
SIR826BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET® Gen IV
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3030pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음7,056
SIR826DP-T1-GE3
SIR826DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음21,792
SIR826DP-T1-RE3
SIR826DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음6,642
SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음28,638
SIR838DP-T1-GE3
SIR838DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음4,338
SIR840DP-T1-GE3
SIR840DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음5,922
SIR844DP-T1-GE3
SIR844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3215pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음4,050
SIR846ADP-T1-GE3
SIR846ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2350pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음5,436
SIR846ADP-T1-RE3
SIR846ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2350pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음6,642
SIR846DP-T1-GE3
SIR846DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2870pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음301
SIR850DP-T1-GE3
SIR850DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1120pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음3,528
SIR862DP-T1-GE3
SIR862DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음2,646
SIR864DP-T1-GE3
SIR864DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2460pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 54W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음4,932
SIR866DP-T1-GE3
SIR866DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 107nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4730pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음6,174
SIR870ADP-T1-GE3
SIR870ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2866pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음2,052
SIR870ADP-T1-RE3
SIR870ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2866pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음27,498
SIR870DP-T1-GE3
SIR870DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2840pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음40,184
SIR871DP-T1-GE3
SIR871DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3395pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 89W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음5,886
SIR872ADP-T1-GE3
SIR872ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53.7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1286pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음24,036
SIR872ADP-T1-RE3
SIR872ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53.7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1286pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음3,150
SIR872DP-T1-GE3
SIR872DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53.7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2130pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음8,118
SIR873DP-T1-GE3
SIR873DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET® Gen IV
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1805pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음5,166
SIR874DP-T1-GE3
SIR874DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 985pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음3,204
SIR876ADP-T1-GE3
SIR876ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음7,434
SIR876DP-T1-GE3
SIR876DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음7,740
SIR878ADP-T1-GE3
SIR878ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1275pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 44.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음7,794
SIR878BDP-T1-RE3
SIR878BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET® Gen IV
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 42.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8
재고 있음25,230