트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음3,816
SIRA34DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 31.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음4,986
SIRA36DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2815pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음3,780
SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54.8A (Ta), 219A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7300pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음8,118
SIRA50DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62.5A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 194nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8445pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음8,136
SIRA52ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41.6A (Ta), 131A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음5,742
SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7150pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음6,660
SIRA52DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7150pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음7,218
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 36.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음8,208
SIRA58ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32.3A (Ta), 109A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3030pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 56.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음5,040
SIRA58DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3750pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음27,576
SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음7,038
SIRA60DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음7,740
SIRA62DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 30V 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51.4A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음24,354
SIRA64DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3420pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음50,616
SIRA64DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3420pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음24,168
SIRA66DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음50,310
SIRA72DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 56.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음26,166
SIRA80DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 188nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9530pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음23,928
SIRA84BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V PP SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음6,192
SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1535pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음7,452
SIRA88BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30 V PWRPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 17W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음8,802
SIRA88DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 985pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음3,418
SIRA90DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10180pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음7,326
SIRA90DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10180pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음28,146
SIRA96DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음58,416
SIRA99DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V PP SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47.9A (Ta), 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): +16V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10955pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.35W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음8,208
SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음42,030
SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2455pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음48,768
SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1873pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 43W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음29,340

SIRA32DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음3,816

SIRA34DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음4,986

SIRA36DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2815pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음3,780

SIRA50ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54.8A (Ta), 219A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7300pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음8,118

SIRA50DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62.5A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 194nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8445pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음8,136

SIRA52ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41.6A (Ta), 131A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음5,742

SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7150pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음6,660

SIRA52DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7150pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음7,218

SIRA54DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 36.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음8,208

SIRA58ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32.3A (Ta), 109A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3030pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음5,040

SIRA58DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3750pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음27,576

SIRA60DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음7,038

SIRA60DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음7,740

SIRA62DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 30V

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51.4A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음24,354

SIRA64DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3420pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음50,616

SIRA64DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3420pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음24,168

SIRA66DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음50,310

SIRA72DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 56.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음26,166

SIRA80DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 188nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9530pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음23,928

SIRA84BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V PP SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음6,192

SIRA84DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1535pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음7,452

SIRA88BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30 V PWRPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음8,802

SIRA88DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 985pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음3,418

SIRA90DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10180pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음7,326

SIRA90DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10180pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음28,146

SIRA96DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음58,416

SIRA99DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V PP SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47.9A (Ta), 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): +16V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10955pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음8,208

SIRC04DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음42,030

SIRC06DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2455pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음48,768

SIRC10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1873pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 43W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음29,340

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