트랜지스터

SISH129DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.4A (Ta), 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3345pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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SISH402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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SISH407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.4A (Ta), 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93.8nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2760pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.6A (Ta), 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V POWERPAK 1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen III
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.1A (Ta), 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 183nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5590pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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SISH617DN-T1-GE3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.9A (Ta), 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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SISH625DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.3A (Ta), 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4427pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V PP 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.9A (Ta), 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3595pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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SISHA10DN-T1-GE3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V PP 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2425pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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SISHA12ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V PP 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2070pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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SISHA14DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V PP 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19.7A (Ta), 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SH
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SH

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SISS02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Ta), 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V
• Vgs (최대): +16V, -12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50.5A (Ta), 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
• Vgs (최대): +16V, -12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4460pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS05DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V PP 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29.4A (Ta), 108A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs (최대): +16V, -20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4930pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS06DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3660pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS08DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3670pF @ 12.5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS10ADN-T1-GE3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.7A (Ta), 109A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3030pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3750pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37.5A (Ta), 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4270pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 90.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1870pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8840pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 81.2A PP 1212-8S

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1980pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen III
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4660pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS27DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5250pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS28DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3640pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS30DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1666pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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SISS30LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 55.5A PP 1212-8S

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2070pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

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