트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SK8603170L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 8HSO 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 2.56mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 24W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HSO8-F4-B 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음29,988
SK8603180L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A 8HSO 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 39A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1.45mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HSO8-F4-B 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음7,812
SK8603190L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1.01mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1092pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HSO8-F4-B 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음2,808
SKI03021 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 85A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,650
SKI03036 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 57A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2460pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,434
SKI03063 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 39.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 64W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,742
SKI03087 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 31.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,182
SKI04024 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 85A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 82.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,474
SKI04033 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 58.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3910pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 116W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,298
SKI04044 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 42.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,032
SKI06048 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 85A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6210pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,446
SKI06073 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 116W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,658
SKI06106 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 57A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,102
SKI07074 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 85A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,266
SKI07114 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 62A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 31.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 116W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음35,016
SKI07171 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 46A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 22.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,920
SKI10123 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 66A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6420pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,580
SKI10195 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 47A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 23.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 116W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,106
SKI10297 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 34A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27.9mOhm @ 17.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,336
SKP202 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 45A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 95W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,616
SKP202VR Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 45A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 95W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,250
SKP253 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 20A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,928
SKP253VR Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 20A TO-263 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,178
SMM2348ES-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,492
SMP3003-DL-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,718
SMP3003-DL-1EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,064
SMP3003-DL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMP-FD 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,474
SMP3003-TL-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음29,418
SN7002N E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,652
SN7002N E6433 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,982

SK8603170L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSO

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 2.56mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HSO8-F4-B
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음29,988

SK8603180L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8HSO

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 39A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1.45mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HSO8-F4-B
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음7,812

SK8603190L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1.01mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1092pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HSO8-F4-B
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음2,808

SKI03021

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 85A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,650

SKI03036

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 57A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2460pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,434

SKI03063

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 39.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 64W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,742

SKI03087

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 31.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,182

SKI04024

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 85A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 82.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,474

SKI04033

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 58.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3910pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 116W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,298

SKI04044

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 42.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,032

SKI06048

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 85A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6210pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,446

SKI06073

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 116W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,658

SKI06106

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 57A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,102

SKI07074

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 85A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,266

SKI07114

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 62A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 31.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 116W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음35,016

SKI07171

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 46A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 22.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,920

SKI10123

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 66A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6420pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,580

SKI10195

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 47A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 23.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 116W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,106

SKI10297

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 34A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27.9mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,336

SKP202

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 45A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 95W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,616

SKP202VR

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 45A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 95W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,250

SKP253

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 20A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,928

SKP253VR

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 20A TO-263

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,178

SMM2348ES-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,492

SMP3003-DL-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,718

SMP3003-DL-1EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,064

SMP3003-DL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMP-FD
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,474

SMP3003-TL-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음29,418

SN7002N E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,652

SN7002N E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,982

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