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트랜지스터

기록 64,903
페이지 1811/2164
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
SSM3J56ACT,L3F
SSM3J56ACT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSVI
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음4,374
SSM3J56MFV,L3F
SSM3J56MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSVI
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: VESM
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
재고 있음1,150,926
SSM3J64CTC,L3F
SSM3J64CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-1

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSVII
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3C
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음80,796
SSM3J65CTC,L3F
SSM3J65CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSVII
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 48pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3C
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음201,270
SSM3J66MFV,L3F
SSM3J66MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음7,362
SSM3K01T(TE85L,F)
SSM3K01T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSVI
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.6A, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TSM
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음8,766
SSM3K09FU,LF
SSM3K09FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSVI
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 5V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: USM
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음27,102
SSM3K106TU(TE85L)
SSM3K106TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSVI
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 600mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: UFM
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
재고 있음3,060
SSM3K116TU,LF
SSM3K116TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSIII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 245pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: UFM
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
재고 있음22,986
SSM3K122TU,LF
SSM3K122TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS20V

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음4,986
SSM3K123TU,LF
SSM3K123TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSIII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.6nC @ 4V
  • Vgs (최대): ±10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: UFM
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
재고 있음2,646
SSM3K127TU,LF
SSM3K127TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음2,052
SSM3K131TU,LF
SSM3K131TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음8,586
SSM3K15ACTC,L3F
SSM3K15ACTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSIII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13.5pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3C
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음2,070
SSM3K15ACT,L3F
SSM3K15ACT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSIII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13.5pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음7,722
SSM3K15ACT(TPL3)
SSM3K15ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSIII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13.5pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음6,840
SSM3K15AFS,LF
SSM3K15AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSIII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13.5pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SSM
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
재고 있음1,362,366
SSM3K15AFU,LF
SSM3K15AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSIII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13.5pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: USM
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음134,478
SSM3K15AMFV,L3F
SSM3K15AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: U-MOSIII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13.5pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: VESM
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
재고 있음569,142
SSM3K15CT(TPL3)
SSM3K15CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSVI
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.8pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음4,248
SSM3K15F,LF
SSM3K15F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 : SMALL LOW ON RESISTANCE NC

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSIV
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.8pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: S-Mini
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음29,868
SSM3K15FS,LF
SSM3K15FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSVI
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.8pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SSM
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
재고 있음4,122
SSM3K16CTC,L3F
SSM3K16CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3C
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음81,390
SSM3K16CT,L3F
SSM3K16CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 PB-F CST3 FET (LF) TRANSISTO

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSIV
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음2,322
SSM3K16CT(TPL3)
SSM3K16CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSVI
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: CST3
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
재고 있음7,722
SSM3K16FU,LF
SSM3K16FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A USM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSVI
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: USM
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음8,046
SSM3K17FU,LF
SSM3K17FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.1A USM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSV
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±7V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: USM
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음625,428
SSM3K17SU,LF
SSM3K17SU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 100MA USM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 3V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: USM
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음4,392
SSM3K17SU,LF(D
SSM3K17SU,LF(D

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 100MA USM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음6,336
SSM3K2615R,LF
SSM3K2615R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: π-MOSV
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23F
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
재고 있음559,686