트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 119pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음45,324
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음53,628
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음2,268
SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 86pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음5,454
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 331pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음5,580
SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 331pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음3,598
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,622
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 137pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음6,714
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.3nC @ 4V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1484pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음3,384
SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSV FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음5,382
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음278,262
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음42,684
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.5A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음100,122
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL PCH LOW ON RESISTANCE MOSF 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음55,236
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,726
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs (최대): +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음28,158
SSM3J143TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (최대): +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음21,612
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음44,556
SSM3J145TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음24,846
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 413pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,192
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.1pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음8,712
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,568
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,290
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.1A USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.1pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: USM 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,652
SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.1pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음141,240
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: S-Mini 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,142
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음5,130
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 335pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,384
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 15V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,628
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSV FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1170pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,130

SSM3H137TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 119pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음45,324

SSM3J09FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음53,628

SSM3J108TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음2,268

SSM3J112TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 86pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음5,454

SSM3J114TU(T5L,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 331pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음5,580

SSM3J114TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 331pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음3,598

SSM3J117TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,622

SSM3J118TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 137pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음6,714

SSM3J120TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.3nC @ 4V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1484pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음3,384

SSM3J129TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSV
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음5,382

SSM3J130TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음278,262

SSM3J132TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음42,684

SSM3J133TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.5A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음100,122

SSM3J134TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL PCH LOW ON RESISTANCE MOSF

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음55,236

SSM3J135TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,726

SSM3J140TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): +6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음28,158

SSM3J143TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): +6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음21,612

SSM3J144TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음44,556

SSM3J145TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): +6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음24,846

SSM3J14TTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 413pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,192

SSM3J15CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.1pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음8,712

SSM3J15F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,568

SSM3J15FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,290

SSM3J15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.1A USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.1pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: USM
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,652

SSM3J15FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.1pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음141,240

SSM3J168F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: S-Mini
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,142

SSM3J16CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음5,130

SSM3J304T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 335pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,384

SSM3J306T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 15V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,628

SSM3J307T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSV
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1170pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,130

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