트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N5880 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,956
2N5881 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 160W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,730
2N5882 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,218
2N5883 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,100
2N5883G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 25A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음8,580
2N5884 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 25A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음3,078
2N5884 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,454
2N5884 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 25A TO-3 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음7,992
2N5884G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 25A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음7,524
2N5885 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,444
2N5885 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 25A TO-3 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음5,904
2N5885G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 25A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음7,344
2N5886 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,318
2N5886G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 25A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음10,188
2N5954 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,590
2N5956 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,120
2N5961 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,466
2N5961_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,096
2N5962 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,550
2N5962 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음4,356
2N5962_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,334
2N5962_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,748
2N5963 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음3,528
2N6034 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음3,510
2N6034G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음32,808
2N6035G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음7,836
2N6036 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음6,894
2N6036 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: SOT-32	재고 있음14,952
2N6036-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP BIPOLAR TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음6,876
2N6036G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음8,064

2N5880

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,956

2N5881

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 160W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,730

2N5882

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,218

2N5883

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,100

2N5883G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 25A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음8,580

2N5884

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 25A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음3,078

2N5884

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,454

2N5884

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 25A TO-3

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음7,992

2N5884G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 25A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음7,524

2N5885

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,444

2N5885

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 25A TO-3

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음5,904

2N5885G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 25A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음7,344

2N5886

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,318

2N5886G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 25A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음10,188

2N5954

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,590

2N5956

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,120

2N5961

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,466

2N5961_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,096

2N5962

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,550

2N5962

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음4,356

2N5962_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,334

2N5962_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,748

2N5963

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음3,528

2N6034

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음3,510

2N6034G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음32,808

2N6035G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음7,836

2N6036

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음6,894

2N6036

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: SOT-32

재고 있음14,952

2N6036-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP BIPOLAR TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음6,876

2N6036G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음8,064

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