트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N6107 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 70V 7A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,056
2N6107 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 70V 7A TO-220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음14,130
2N6107-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,624
2N6107G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 70V 7A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음91,146
2N6109 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 7A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,870
2N6109 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 7A TO-220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음15,240
2N6109G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 7A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음9,024
2N6111 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 7A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,506
2N6111 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 7A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,452
2N6111G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 7A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음17,832
2N6123 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 2.5MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,128
2N6191 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,524
2N6192 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,696
2N6193 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 5A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,914
2N6193U3 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,618
2N6212 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,592
2N6213 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,664
2N6227 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,634
2N6228 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,848
2N6229 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,514
2N6230 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,436
2N6231 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,946
2N6233 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,046
2N6234 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 275V 5A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 275V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음2,070
2N6235 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,418
2N6249 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,646
2N6249T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,916
2N6250 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,676
2N6251 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음257
2N6251T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,436

2N6107

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 70V 7A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,056

2N6107

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 70V 7A TO-220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음14,130

2N6107-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,624

2N6107G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 70V 7A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음91,146

2N6109

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 7A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,870

2N6109

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 7A TO-220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음15,240

2N6109G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 7A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음9,024

2N6111

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 7A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,506

2N6111

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 7A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,452

2N6111G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 7A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음17,832

2N6123

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 2.5MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,128

2N6191

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,524

2N6192

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,696

2N6193

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 5A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,914

2N6193U3

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,618

2N6212

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,592

2N6213

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,664

2N6227

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,634

2N6228

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,848

2N6229

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,514

2N6230

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,436

2N6231

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,946

2N6233

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,046

2N6234

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 275V 5A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 275V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음2,070

2N6235

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,418

2N6249

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,646

2N6249T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,916

2N6250

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,676

2N6251

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음257

2N6251T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,436

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