트랜지스터

TK72A08N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 175nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8200pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK72A12N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 72A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 36A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8100pF @ 60V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK72E08N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 80V 72A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 36A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 192W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK72E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 120V 72A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 36A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8100pF @ 60V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 255W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK750A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIX
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7A60W5,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 350µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 350µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7A90E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVIII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK7E80W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 280µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK7J90E,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVIII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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TK7P50D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D-Pak
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK7P60W5,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 350µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK7P60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 7A DPAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 350µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK7P65W,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK7Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 350µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I-PAK
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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TK7S10N1Z,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK+
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK80S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK+
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK80S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK+
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK8A10K3,S5Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 18W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK8A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK8A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK8A50DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK8A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK8A55DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.07Ohm @ 3.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK8A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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