트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZVP3306ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 0.16A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 18V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음6,768
ZVP3306FTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 18V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음313,224
ZVP3306FTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 18V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,300
ZVP3310A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음12,228
ZVP3310ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음7,596
ZVP3310ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음8,244
ZVP3310ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음8,496
ZVP3310FTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,600
ZVP3310FTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,262
ZVP4105A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음2,178
ZVP4105ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음5,940
ZVP4105ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음8,802
ZVP4424A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음28,860
ZVP4424ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음8,568
ZVP4424ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음5,310
ZVP4424ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음3,258
ZVP4424GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 480mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음56,724
ZVP4424GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 480mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,734
ZVP4424ZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89-3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음27,432
ZVP4525E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음110,586
ZVP4525E6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음3,618
ZVP4525GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 265mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음73,458
ZVP4525GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 265mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,536
ZVP4525ZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 205mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89-3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음533,172
ZXM41N10FTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,024
ZXM41N10FTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,912
ZXM61N02FTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,071,452
ZXM61N02FTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,426
ZXM61N03FTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음794,328
ZXM61N03FTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,164

ZVP3306ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 0.16A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 18V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음6,768

ZVP3306FTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 18V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음313,224

ZVP3306FTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 18V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,300

ZVP3310A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음12,228

ZVP3310ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음7,596

ZVP3310ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음8,244

ZVP3310ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음8,496

ZVP3310FTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,600

ZVP3310FTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,262

ZVP4105A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음2,178

ZVP4105ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음5,940

ZVP4105ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음8,802

ZVP4424A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음28,860

ZVP4424ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음8,568

ZVP4424ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음5,310

ZVP4424ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음3,258

ZVP4424GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 480mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음56,724

ZVP4424GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 480mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,734

ZVP4424ZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89-3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음27,432

ZVP4525E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음110,586

ZVP4525E6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음3,618

ZVP4525GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 265mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음73,458

ZVP4525GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 265mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,536

ZVP4525ZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 205mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.45nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89-3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음533,172

ZXM41N10FTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,024

ZXM41N10FTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,912

ZXM61N02FTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,071,452

ZXM61N02FTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,426

ZXM61N03FTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음794,328

ZXM61N03FTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,164

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