트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGF150SK120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A 961W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 961W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,796
APTGF15A120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,034
APTGF15H120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,898
APTGF15H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,312
APTGF15X120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,822
APTGF165A60D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 230A 전력-최대: 781W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음6,480
APTGF165DA60D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 230A 730W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 230A 전력-최대: 730W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음2,100
APTGF165SK60D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 230A 730W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 230A 전력-최대: 730W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음2,412
APTGF180A60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,866
APTGF180DA60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 220A 833W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,608
APTGF180DH60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,394
APTGF180DU60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT DUAL SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,826
APTGF180H60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,646
APTGF180SK60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 220A 833W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,904
APTGF200A120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,104
APTGF200DA120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 300A 1400W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음3,114
APTGF200SK120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 300A 1400W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음6,552
APTGF200U120DG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 275A 1136W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 275A 전력-최대: 1136W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,706
APTGF250A60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음5,814
APTGF250DA60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 400A 1250W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,608
APTGF250SK60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 400A 1250W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,122
APTGF25A120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,420
APTGF25DDA120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,212
APTGF25DSK120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,292
APTGF25H120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,196
APTGF25H120T2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음8,928
APTGF25H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,478
APTGF25X120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,732
APTGF300A120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 2100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,608
APTGF300A120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,178

APTGF150SK120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A 961W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 961W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,796

APTGF15A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,034

APTGF15H120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,898

APTGF15H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,312

APTGF15X120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,822

APTGF165A60D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT PHASE 600V 230A D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 230A
전력-최대: 781W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음6,480

APTGF165DA60D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 230A 730W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 230A
전력-최대: 730W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음2,100

APTGF165SK60D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 230A 730W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 230A
전력-최대: 730W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음2,412

APTGF180A60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,866

APTGF180DA60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 220A 833W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,608

APTGF180DH60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,394

APTGF180DU60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT DUAL SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,826

APTGF180H60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,646

APTGF180SK60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 220A 833W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,904

APTGF200A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,104

APTGF200DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 300A 1400W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음3,114

APTGF200SK120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 300A 1400W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음6,552

APTGF200U120DG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 275A 1136W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 275A
전력-최대: 1136W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,706

APTGF250A60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음5,814

APTGF250DA60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 400A 1250W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,608

APTGF250SK60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 400A 1250W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,122

APTGF25A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,420

APTGF25DDA120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,212

APTGF25DSK120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,292

APTGF25H120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,196

APTGF25H120T2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음8,928

APTGF25H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,478

APTGF25X120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,732

APTGF300A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 2100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,608

APTGF300A120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,178

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