트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGT150SK60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 225A 480W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,554
APTGT150TA60PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음5,796
APTGT150TDU60PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Triple, Dual - Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음4,691
APTGT150TL60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 3-LEVEL INVERTER 600V SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,726
APTGT200A120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1040W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 6mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음531
APTGT200A120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,420
APTGT200A170D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음5,346
APTGT200A602G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음8,046
APTGT200A60T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,734
APTGT200A60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,942
APTGT200DA120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 300A 1050W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1050W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 6mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음6,012
APTGT200DA120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 280A 890W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,572
APTGT200DA170D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 400A 1250W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음5,220
APTGT200DA60T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 290A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,462
APTGT200DA60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 290A 625W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,276
APTGT200DH120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,240
APTGT200DH60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,794
APTGT200DU120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,146
APTGT200DU60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,228
APTGT200H120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,986
APTGT200H60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,886
APTGT200SK120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 300A 1050W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1050W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 6mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음2,736
APTGT200SK120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 280A 890W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,910
APTGT200SK170D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 400A 1250W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음2,142
APTGT200SK60T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 290A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,454
APTGT200SK60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 290A 625W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,420
APTGT200TL60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 652W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,110
APTGT20A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 62W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,430
APTGT20DDA60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 62W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,438
APTGT20DSK60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 62W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,280

APTGT150SK60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 225A 480W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,554

APTGT150TA60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음5,796

APTGT150TDU60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Triple, Dual - Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음4,691

APTGT150TL60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 3-LEVEL INVERTER 600V SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,726

APTGT200A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1040W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 6mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음531

APTGT200A120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,420

APTGT200A170D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음5,346

APTGT200A602G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음8,046

APTGT200A60T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,734

APTGT200A60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,942

APTGT200DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 300A 1050W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 6mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음6,012

APTGT200DA120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 280A 890W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,572

APTGT200DA170D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 400A 1250W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음5,220

APTGT200DA60T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 290A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,462

APTGT200DA60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 290A 625W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,276

APTGT200DH120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,240

APTGT200DH60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,794

APTGT200DU120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,146

APTGT200DU60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,228

APTGT200H120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,986

APTGT200H60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,886

APTGT200SK120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 300A 1050W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 6mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음2,736

APTGT200SK120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 280A 890W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,910

APTGT200SK170D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 400A 1250W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음2,142

APTGT200SK60T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 290A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,454

APTGT200SK60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 290A 625W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,420

APTGT200TL60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 652W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,110

APTGT20A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 62W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,430

APTGT20DDA60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 62W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,438

APTGT20DSK60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 62W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,280

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